[发明专利]太阳能硅片的刻蚀设备和制备系统

说明书

本发明提供了一种太阳能硅片的刻蚀设备和制备系统，刻蚀设备包括：传输组件；氧化组件，包括臭氧发生装置、气液混合装置和臭氧水反应槽；传输组件用于将太阳能硅片传送至臭氧水反应槽，使太阳能硅片的表面形成氧化膜；水膜组件，设置在氧化组件后方，用于在氧化膜的上表面形成水膜；刻蚀组件，设置在水膜组件后方，用于对太阳能硅片的下表面进行蚀刻；传输组件的传送方向为从前向后。本发明所提供的刻蚀设备采用了湿法柔性的方式给太阳能硅片的表面生成一层氧化膜，相比于相关技术中的热氧化设备而言，氧化设备成本低，且无需高温反应降低了能耗，同时缩短了氧化制程，进而提高了太阳能硅片的制备效率。

技术领域

本发明涉及太阳能硅片的刻蚀技术装置领域，具体而言，尤其涉及一种刻蚀设备和包括上述刻蚀设备的太阳能硅片的制备系统。

背景技术

目前，在光伏激光SE和无机碱抛光的硅片制程中，经过激光SE制程后的硅片表面的氧化层会被严重的破坏，而这一层氧化层在做无机碱抛光是非常关键，氧化层受到严重破坏后无法保证硅片表面不被有机碱腐蚀，从而无法保证硅片的转换效率。目前常规的做法是硅片在经过激光SE制程后，通过热氧化，重新再硅片的表面生成一层氧化层，需要通过采用一个高温炉管设备完成，但该高温炉管设备存在成本高、能耗高的问题。

发明内容

为了解决上述技术问题至少之一，本发明的一个目的在于提供一种太阳能硅片的刻蚀设备。

本发明的另一个目的在于提供一种上述刻蚀设备的太阳能硅片的制备系统。

为了实现上述目的，本发明第一方面的技术方案提供了一种太阳能硅片的刻蚀设备，包括：传输组件，用于传送所述太阳能硅片；氧化组件，包括臭氧发生装置、气液混合装置和臭氧水反应槽；所述臭氧发生装置与所述气液混合装置相连接，所述气液混合装置与所述臭氧水反应槽相连接，所述传输组件用于将所述太阳能硅片传送至所述臭氧水反应槽，使所述太阳能硅片的表面形成氧化膜；水膜组件，设置在所述氧化组件后方，用于在所述氧化膜的上表面形成水膜；刻蚀组件，设置在所述水膜组件后方，用于对所述太阳能硅片的下表面进行蚀刻；其中，所述传输组件的传送方向为从前向后。

具体而言，本技术方案中所提供的太阳能硅片的刻蚀设备包括传输组件和依次设置的氧化组件、水膜组件、刻蚀组件，通过传输组件承载待刻蚀的太阳能硅片，依次对太阳能硅片进行覆盖氧化膜、覆盖水膜、单面刻蚀的工艺步骤。

氧化组件包括通过管道依次连接的臭氧发生装置、气液混合装置和臭氧水反应槽。臭氧发生装置能够产生臭氧气体，气液混合装置将臭氧气体和液体进行气液相混合后，形成溶有臭氧气体的液体，即臭氧水。臭氧水通过管道从气液混合装置进入臭氧水反应槽中，这样当传输组件带动太阳能硅片经过臭氧水反应槽的时候，臭氧水流经在太阳能硅片的四周，以使太阳能硅片浸没在臭氧水中，通过氧化形成氧化膜的方式修补该太阳能硅片的表面损伤，该损伤是在激光SE工艺步骤中产生的。并且由于臭氧的氧化性极强，能够很快在太阳能硅片的表面生成一层致密的氧化膜，这样处理之后能够完全满足单面刻蚀步骤中的无机碱抛光对于氧化膜的需求。

这样，相对于相关技术中使用高温炉管设备进行氧化的方式而言，本发明所提供的氧化组件不需要进行高温反应，降低来能耗。臭氧发生装置、气液混合装置和臭氧水反应槽的组合相较于高温炉管成本低，同时不需要搭配高温炉管的自动化设备，进一步减少了成本。由于臭氧的氧化性极强，氧化膜的形成更加快速，有助于缩短太阳能硅片的制成，提高产能。另外臭氧发生装置、气液混合装置和臭氧水反应槽的组合结构简单、可集成单面刻蚀工艺段设备配合使用。此外，相关技术中使用高温炉管设备进行氧化的制程中会导致产生太阳能硅片翘边、隐裂的问题，增加制程中破片率，严重减低良品率，使用本发明所提供的氧化组件则相应减少了太阳能硅片的破片率，从而相应提高了良品率。