[发明专利]管式沉积设备有效
申请号: | 201910894525.7 | 申请日: | 2019-09-20 |
公开(公告)号: | CN110468391B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 王祥;彭海;陆勇;胡海明;费红才;袁刚;胡兵;奚明 | 申请(专利权)人: | 理想晶延半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/455;C23C16/52;C23C16/54;C23C16/513 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 201620 上海市松*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 沉积 设备 | ||
1.一种管式沉积设备,包括管式沉积腔体以及收容于所述管式沉积腔体的载片单元,所述管式沉积腔体由第一端面、第二端面以及位于所述第一端面和所述第二端面之间的筒形侧面围成,其特征在于,所述管式沉积设备还包括旋转驱动部、控制单元和第一支撑对接部,所述旋转驱动部驱动所述管式沉积腔体或所述载片单元旋转,所述第一端面设置有第一腔门;
所述载片单元包括若干基片承载部,所述基片承载部具有相对设置的第一腔面与第二腔面,所述第一腔面和所述第二腔面均为实心腔面;
所述控制单元包括位置控制,所述旋转驱动部根据所述位置控制的指令控制所述载片单元处于第一腔面承载待处理基片的第一位置或控制所述载片单元处于第二腔面承载待处理基片的第二位置;
所述待处理基片包括相互平行的第一表面和第二表面;
当所述载片单元旋转到所述第一位置,所述第一腔面位于所述第二腔面的正下方,所述第一腔面承载所述待处理基片的所述第一表面,所述第二表面暴露于所述第一腔面与所述第二腔面之间;
当所述载片单元旋转到所述第二位置,所述第一腔面位于所述第二腔面的正上方,所述第二腔面承载所述待处理基片的所述第二表面,所述第一表面暴露于所述第一腔面与所述第二腔面之间;
所述载片单元包括相互平行的石墨舟片和相互平行设置的绝缘阻挡杆,相邻的所述石墨舟片之间形成的区域为所述基片承载部,所述绝缘阻挡杆贯穿所述石墨舟片并垂直所述石墨舟片,用以将所述基片承载部内的基片阻挡在所述基片承载部内;
当所述旋转驱动部驱动所述管式沉积腔体旋转,所述旋转驱动部包括第一旋转驱动部,所述第一旋转驱动部可拆卸连接于所述第一端面,所述载片单元固定连接于所述管式沉积腔体,以在所述第一旋转驱动部的驱动下与所述管式沉积腔体同步旋转;
当所述旋转驱动部驱动所述载片单元旋转,所述旋转驱动部包括第二旋转驱动部,所述第二旋转驱动部由第二旋转部和旋转驱动电机构成,所述载片单元朝向所述第一腔门的端面可拆卸连接所述第二旋转部,所述旋转驱动电机设置于所述第一腔门外侧并贯穿所述第一腔门,并通过所述第一支撑对接部与所述第二旋转部相连接,以带动所述第二旋转部旋转,所述第二旋转部的旋转带动所述载片单元同步旋转。
2.根据权利要求1所述的管式沉积设备,其特征在于,所述待处理基片为硅片,所述管式沉积腔体为PECVD沉积腔体。
3.根据权利要求2所述的管式沉积设备,其特征在于,所述第一腔面具有第一基片承载区,所述第二腔面具有第二基片承载区,所述第一基片承载区与第二基片承载区为实心区域。
4.根据权利要求3所述的管式沉积设备,其特征在于,还包括等离子体发生电源开关,所述控制单元还包括等离子体发生电源控制,所述等离子体发生电源控制根据所述位置控制的指令控制所述等离子体发生电源开关,当所述旋转部驱动所述管式沉积腔体或所述载片单元旋转至所述第一位置与所述第二位置之间时,所述等离子体发生电源控制关断所述等离子体发生电源开关,以中断对所述管式沉积腔体内的等离子体发生电源供应。
5.根据权利要求4所述的管式沉积设备,其特征在于,还包括沉积反应前驱体供应装置,所述沉积反应前驱体供应装置向所述管式沉积腔体内供应至少3种气体。
6.根据权利要求5所述的管式沉积设备,其特征在于,还包括移动单元,所述移动单元用于推送所述载片单元进入所述管式沉积腔体内或者移动所述载片单元离开所述管式沉积腔体内。
7.根据权利要求6所述的管式沉积设备,其特征在于,还包括真空泵,所述真空泵与所述管式沉积腔体连接。
8.根据权利要求7所述的管式沉积设备,其特征在于,还包括载片区,所述移动单元设置于所述载片区。
9.根据权利要求8所述的管式沉积设备,其特征在于,还包括处理区,至少一个所述管式沉积腔体堆叠设置于所述处理区。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的