[发明专利]一种半导体设备在审
| 申请号： | 201910895152.5 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110643962A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/56;C23C14/50;C23C14/54;C23C14/06 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体设备 生长腔 靶材 体内 磁性单元 生长腔体 均匀性 镀膜 基板 磁场 | ||
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：
生长腔体；
基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；
靶材，设置在所述生长腔体内；
磁体，设置在所述靶材相对的位置上；
其中，所述磁体包括多个磁性单元，所述磁体是形成一弧形的磁场。
2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述磁体包括第一部分，第二部分及多个第三部分，所述多个第三部分连接在所述第一部分及所述第二部分之间。
3.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述第一部分的两端分别连接在所述第三部分的一端，所述第一部分包括第一磁性单元。
4.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于：所述第二部分的两端分别连接在所述第三部分的另一端，所述第二部分包括第多个第二磁性单元，多个第三磁性单元及一个第四磁性单元。
5.根据权利要求4所述的半导体设备，其特征在于：所述第四磁性单元的两端连接所述多个第三磁性单元，所述第二磁性单元的一端连接所述第三磁性单元，所述所述第二磁性单元的另一端连接所述第三部分。
6.根据权利要求5所述的半导体设备，其特征在于：所述多个第三磁性单元与所述第四磁性单元形成一凹部。
7.根据权利要求6所述的半导体设备，其特征在于：所述第三部分包括相互连接的多个磁性单元。
8.根据权利要求7所述的半导体设备，其特征在于：所述多个磁性单元的斜率逐渐增大。
9.一种半导体设备，其特征在于，包括：
运送腔体，用于运送基板；
预热腔体，设置在所述运送腔体的侧壁上，用于加热所述基板；
清洗腔体，设置在所述运送腔体的侧壁上，用于清洗所述基板；
过渡腔体，设置在所述运送腔体的侧壁上，所述基板通过所述过渡腔体进入所述生长腔体内，所述基板在所述生长腔体内进行沉积薄膜；
基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；
靶材，设置在所述生长腔体内；
磁体，设置在所述靶材相对的位置上，所述磁体包括多个磁性单元，所述磁体是形成一弧形的磁场。
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