[发明专利]一种半导体设备

说明书

本发明提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材相对的位置上；其中，所述磁体包括多个磁性单元，所述磁体是形成一弧形的磁场。本发明提出的半导体设备能够提高镀膜的均匀性。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种半导体设备。

背景技术

随着集成电路生产技术的不断进步，电路芯片的集成度得到大幅提升。目前，在一片芯片中所集成的晶体管数量已经达到了惊人的几千万个，数量如此庞大的有源元件的信号集成需要多达十层以上的高密度金属互联层进行连接。因此，作为制备上述金属互联层的重要工艺，物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，以下简称PVD)技术得到了广泛应用。

在磁控溅射设备中，电子在电场的作用下加速飞向基板，在此过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，在靶材和基板之间形成等离子体区域。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子或分子，呈中性的靶材原子或分子沉积在基板上成膜。为了形成更多氩离子对靶材轰击以产生更多靶材原子或分子，就需要提高电子与氩原子的碰撞率。利用靶材附近形成的磁场，使电子受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶材的等离子体区域内，围绕靶材运动，增加电子的运动路径，从而提高电子与氩原子的碰撞率，电离出的大量氩离子可轰击出更多靶材原子或分子。但是直接溅射完成后薄膜的均匀性较差，使得在下一步的工艺中还需要后续处理，工艺过程繁琐，不适合大尺寸晶片的生产。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本发明提出一种半导体设备，以提高镀膜的均匀性，简化操作过程。

为实现上述目的及其他目的，本发明提出一种半导体设备，包括：

生长腔体；

基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；

靶材，设置在所述生长腔体内；

磁体，设置在所述靶材相对的位置上；

其中，所述磁体包括多个磁性单元，所述磁体是形成一弧形的磁场。

在一实施例中，所述磁体包括第一部分，第二部分及多个第三部分，所述多个第三部分连接在所述第一部分及所述第二部分之间。

在一实施例中，所述第一部分的两端分别连接在所述第三部分的一端，所述第一部分包括第一磁性单元。

在一实施例中，所述第二部分的两端分别连接在所述第三部分的另一端，所述第二部分包括第多个第二磁性单元，多个第三磁性单元及一个第四磁性单元。

在一实施例中，所述第四磁性单元的两端连接所述多个第三磁性单元，所述第二磁性单元的一端连接所述第三磁性单元，所述所述第二磁性单元的另一端连接所述第三部分。

在一实施例中，所述多个第三磁性单元与所述第四磁性单元形成一凹部。

在一实施例中，所述第三部分包括相互连接的多个磁性单元。

在一实施例中，所述多个磁性单元的斜率逐渐增大。

在一实施例中，一种半导体设备，包括：

运送腔体，用于运送基板；

预热腔体，设置在所述运送腔体的侧壁上，用于加热所述基板；

清洗腔体，设置在所述运送腔体的侧壁上，用于清洗所述基板；

过渡腔体，设置在所述运送腔体的侧壁上，所述基板通过所述过渡腔体进入所述生长腔体内，所述基板在所述生长腔体内进行沉积薄膜；

基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；