[发明专利]一种碳化硅表面改性方法有效
| 申请号： | 201910896598.X | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN110551979B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 白云立;王利;王刚;张继友;周于鸣;王永刚;孟晓辉;郭文;徐领娣;于建海 | 申请（专利权）人： | 北京空间机电研究所 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 张晓飞 |
| 地址： | 100076 北京市丰*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 表面 改性 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅表面改性方法，其特征在 于步骤如下：
1)选取膜料镍、硅，分别放置在镀膜机阻蒸舟和电子坩埚内；
2)抽真空，当真空度达到高真空时开始加热；
3)达到温度T时开始镀制镍；
4)保持温度T，继续镀制硅；
5)完成上述两种膜料镀制后，用离子源轰击；
所述高真空度≤3x10-3Pa；
所述T＝290℃-310℃；
所述步骤3)镀制镍的厚度为25nm-30nm；
所述步骤4)镀制硅的厚度为700nm-900nm；
所述离子源轰击时间为4-6分钟；
所述离子源工作参数为120V、150mA；
所述镀膜机的各个蒸发源到被镀件的距离d＜1m。
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