[发明专利]声波装置

说明书

一种声波装置包括：第一基板，该第一基板具有第一表面和第二表面，所述第二表面是所述第一基板的与所述第一表面相反的表面；声波元件，该声波元件位于所述第一表面上；布线部分，该布线部分通过穿通孔电连接所述声波元件和金属部分，所述金属部分位于所述第二表面上，所述穿通孔穿透所述第一基板；以及密封部分，该密封部分位于所述第一表面上以包围所述声波元件，该密封部分从平面图看与所述穿通孔的至少一部分交叠，并且将所述声波元件密封在气隙中。

技术领域

本发明的特定方面涉及声波装置。

背景技术

已知通过在基板的设置有声波元件的上表面上提供密封部分使得密封部分包围声波元件来密封声波元件的方法，如在例如日本专利申请公开No.2007-067617、No.2017-204827和No.2013-115664(下文中，分别被称为专利文献1至3)中公开的。已知通过穿透基板的穿透电极将声波元件与基板的下表面电连接，如在例如专利文献1和2中公开的。

发明内容

根据本发明的一方面，提供了一种声波装置，该声波装置包括：第一基板，该第一基板具有第一表面和第二表面，所述第二表面是所述第一基板的与所述第一表面相反的表面；声波元件，该声波元件位于所述第一表面上；布线部分，该布线部分通过穿通孔电连接所述声波元件和金属部分，所述金属部分位于所述第二表面上，所述穿通孔穿透所述第一基板；以及密封部分，该密封部分位于所述第一表面上以包围所述声波元件，该密封部分从平面图看与所述穿通孔的至少一部分交叠，并且将所述声波元件密封在气隙中。

附图说明

图1A是按照第一实施方式的声波装置的截面图，并且图1B是图1A中的部分A的放大视图；

图2A是声波谐振器12的平面图，并且图2B是声波谐振器22的截面图；

图3是按照第一实施方式的声波装置的电路图；

图4A和图4B是第一实施方式中的基板的平面图；

图5A至图5D是例示按照第一实施方式的制造声波装置的方法的截面图(第一)；

图6A至图6D是例示按照第一实施方式的制造声波装置的方法的截面图(第二)；

图7A至图7D是按照第一实施方式的声波装置的平面图(第一)；

图8A至图8C是按照第一实施方式的声波装置的平面图(第二)；

图9是按照第一实施方式的第一变形形式的声波装置的穿透电极附近的平面图；

图10A是沿着图9中的线A-A截取的截面图，并且图10B是沿着图9中的线B-B截取的截面图；

图11是按照第一实施方式的第二变形形式的声波装置的截面图；

图12是按照第一实施方式的第三变形形式的声波装置的截面图；以及

图13A和图13B是第一比较例中的基板的平面图。

具体实施方式

当声波元件与基板的下表面通过穿透基板的穿通孔电连接时，声波装置的尺寸增大。

下文中，将参照附图给出对本公开的实施方式的描述。

第一实施方式

图1A是按照第一实施方式的声波装置的截面图，并且图1B是图1A中的部分A的放大视图。如图1A和图1B中例示的，基板10具有支承基板10a和压电基板11。压电基板11被结合在支承基板10a的上表面上。支承基板10a是例如蓝宝石基板、氧化铝基板、尖晶石基板、石英基板、晶体基板或硅基板，并且是单晶基板、多晶基板或烧结体基板。压电基板11例如是钽酸锂基板或铌酸锂基板，并且是单晶基板。压电基板11的厚度例如为0.5μm至30μm。