[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上顺序地堆叠下部牺牲层和上部牺牲层；

图案化所述上部牺牲层以形成第一上部牺牲图案和第二上部牺牲图案；

分别在所述第一上部牺牲图案的侧壁和所述第二上部牺牲图案的侧壁上形成第一上部间隔物和第二上部间隔物；

使用所述第一上部间隔物和所述第二上部间隔物作为蚀刻掩模来图案化所述下部牺牲层，以形成多个下部牺牲图案；

在所述多个下部牺牲图案的侧壁上形成多个下部间隔物；以及

使用所述多个下部间隔物作为蚀刻掩模来图案化所述衬底，

其中，所述第一上部间隔物和所述第二上部间隔物彼此连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一上部间隔物和所述第二上部间隔物中的每一个上部间隔物的最大宽度的两倍大于所述第一上部牺牲图案与所述第二上部牺牲图案之间的最小长度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，图案化所述上部牺牲层包括形成第三上部牺牲图案，

其中，所述第一上部间隔物和所述第二上部间隔物中的每一个上部间隔物的最大宽度的两倍小于所述第二上部牺牲图案与所述第三上部牺牲图案之间的最小长度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一上部间隔物和所述第二上部间隔物在所述第一上部牺牲图案与所述第二上部牺牲图案之间彼此连接。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：执行侧切工艺以图案化所述下部间隔物，从而形成多个第一段和多个第二段。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，当在俯视图中观察时，

所述多个第一段为条形，并且

所述多个第二段是弯曲的。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述多个第二段中的两个第二段彼此连接。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，图案化所述衬底包括：

在所述衬底的上部上形成沿第一方向顺序设置的第一有源图案、第二有源图案、第三有源图案、第四有源图案、第五有源图案和第六有源图案，所述第一方向平行于所述衬底的顶表面；

形成成对的彼此间隔开的第一内部无源图案，所述第二有源图案和所述第三有源图案位于其间；

形成成对的彼此间隔开的第二内部无源图案，所述第四有源图案和所述第五有源图案位于其间；

形成成对的彼此间隔开的第一外部无源图案，所述第一有源图案、所述第二有源图案、所述第三有源图案和所述成对的第一内部无源图案位于其间；以及

形成成对的彼此间隔开的第二外部无源图案，所述第四有源图案、所述第五有源图案、所述第六有源图案和所述成对的第二内部无源图案位于其间。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述成对的第一外部无源图案连接到所述成对的第二外部无源图案。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述成对的第一外部无源图案中的每个第一外部无源图案在所述第一方向上的最大长度，大于所述第一有源图案与所述第二有源图案之间的第一节距和所述第二有源图案与所述第三有源图案之间的第二节距之和。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一外部无源图案在所述第一方向上的所述最大长度小于所述第一节距、所述第二节距与第三节距之和，所述第三节距是所述第三有源图案与所述第四有源图案之间的节距。

12.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底的第一区域和第二区域上分别形成第一上部牺牲图案和第二上部牺牲图案；以及

执行四重图案化技术工艺，以在所述衬底的上部形成多个有源图案，在所述四重图案化技术工艺中所述第一上部牺牲图案和所述第二上部牺牲图案用作芯模，

其中，不在所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域上形成有源图案。