[发明专利]半导体器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201910897507.4 申请日: 2019-09-23
公开(公告)号: CN111146148A 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 金荣勋;梁在锡;李海王 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/8234 分类号: H01L21/8234;H01L27/088
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【说明书】:

公开了一种半导体器件及其制造方法。所述方法包括:在衬底上顺序地堆叠下部牺牲层和上部牺牲层;图案化所述上部牺牲层以形成第一上部牺牲图案和第二上部牺牲图案;分别在所述第一上部牺牲图案的侧壁和所述第二上部牺牲图案的侧壁上形成第一上部间隔物和第二上部间隔物;使用所述第一上部间隔物和所述第二上部间隔物作为蚀刻掩模来图案化所述下部牺牲层,以形成多个下部牺牲图案;在所述多个下部牺牲图案的侧壁上形成多个下部间隔物;以及使用所述多个下部间隔物作为蚀刻掩模来图案化所述衬底。所述第一上部间隔物和所述第二上部间隔物彼此连接。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年11月2日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0133668的优先权,通过引用将该申请的全部内容结合于此。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体器件及其制造方法,更具体地,涉及一种降低了制造成本和时间的半导体器件及其制造方法。

背景技术

随着电子工业的飞速发展,对半导体器件的高集成度的要求越来越高。例如,对半导体器件的高可靠性、高速度和/或多功能性的要求越来越高。为了满足这些要求的特性,半导体器件已逐渐变得更复杂和更集成。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了减少制造成本和时间的半导体器件及其制造方法。

根据示例实施例,本公开涉及一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:在衬底上顺序地堆叠下部牺牲层和上部牺牲层;图案化所述上部牺牲层以形成第一上部牺牲图案和第二上部牺牲图案;分别在所述第一上部牺牲图案的侧壁和所述第二上部牺牲图案的侧壁上形成第一上部间隔物和第二上部间隔物;使用所述第一上部间隔物和所述第二上部间隔物作为蚀刻掩模来图案化所述下部牺牲层,以形成多个下部牺牲图案;在所述多个下部牺牲图案的侧壁上形成多个下部间隔物;以及使用所述多个下部间隔物作为蚀刻掩模来图案化所述衬底,其中,所述第一上部间隔物和所述第二上部间隔物彼此连接。

根据示例实施例,本公开涉及一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:在衬底的第一区域和第二区域上分别形成第一上部牺牲图案和第二上部牺牲图案;以及执行四重图案化技术工艺,以在所述衬底的上部形成多个有源图案,在所述四重图案化技术工艺中所述第一上部牺牲图案和所述第二上部牺牲图案用作芯模,其中,不在所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域上形成所述有源图案。

根据示例实施例,本公开涉及一种半导体器件,包括:衬底;第一有源图案、第二有源图案和第三有源图案,所述第一有源图案、所述第二有源图案和所述第三有源图案沿第一方向顺序地设置在所述衬底的上部并且沿第二方向平行地纵向延伸,所述第一方向平行于所述衬底的顶表面,所述第二方向平行于所述衬底的所述顶表面并且与所述第一方向相交;成对的第一内部无源图案,所述成对的第一内部无源图案在所述第二方向上彼此间隔开,所述第二有源图案和所述第三有源图案位于其间;以及成对的第一外部无源图案,所述成对的第一外部无源图案在所述第二方向上彼此间隔开,所述第一有源图案、所述第二有源图案、所述第三有源图案和所述成对的第一内部无源图案位于其间。

附图说明

图1A例示了根据本发明构思的一些示例实施例的半导体器件的俯视图。

图1B例示了沿图1A中的线A-A'截取的截面图。

图1C例示了沿图1A中的线B-B'截取的截面图。

图1D例示了沿图1A中的线C-C'截取的截面图。

图2A、图3A、图4A、图5A、图6A、图7A和图8A例示了示出制造图1A、图1B、图1C和图1D中所示的半导体器件的方法的俯视图。

图2B、图3B、图4B、图5B、图6B、图7B和图8B例示了分别沿图2A、图3A、图4A、图5A、图6A、图7A和图8A中的线A-A'截取的截面图。

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