[发明专利]Flash器件耐久性能测试方法

权利要求书

1.Flash器件耐久性能测试方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供待测试的Flash器件；所述Flash器件包含的存储单元分别为第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元以及第四存储单元；

步骤二、所述第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元以及第四存储单元中包含测试电压相同和不同的多个端口，其中测试电压相同的端口连接至同一个脉冲发生单元，测试电压不同的端口分别单独连接一个脉冲发生单元；所述多个端口包括：所述第一存储单元、第二存储单元的控制栅连接形成的CG1端；所述第三存储单元、第四存储单元的控制栅连接形成的CG2端；所述第一存储单元、第二存储单元的选择栅连接形成的SG1端；所述第三存储单元、第四存储单元的选择栅连接形成的SG2端；所述第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元以及第四存储单元的源极端连接形成的CSL端；所述第一存储单元、第三存储单元的漏极端连接形成的BL1端；所述第二存储单元、第四存储单元的漏极端连接形成的BL2端；所述第三存储单元、第四存储单元的P阱端连接形成的PW端；所述SG1端和SG2端连接至同一个所述脉冲发生单元；所述PW端、CG2端、BL1端以及CSL端连接至同一个所述脉冲发生单元；所述CG1端、BL2端分别单元连接一个所述脉冲发生单元；

步骤三、使得步骤二中的所述脉冲发生单元分别发出10万个周期的同步脉冲电压信号，其中所述Flash器件的一个擦除和写入作为一个所述周期；

步骤四、对每个周期下的所述Flash器件的擦除和写入状态的阈值电压分别进行测试。

2.根据权利要求1所述的Flash器件耐久性能测试方法，其特征在于：步骤三中的所述同步脉冲电压信号为方波形脉冲电压。

3.根据权利要求2所述的Flash器件耐久性能测试方法，其特征在于：步骤三中在一个所述周期的写入状态下，施加在所述CG1端的脉冲电压高电平为6V；施加在所述SG1端和SG2端的脉冲电压低电平为-3.5V；施加在所述PW端、CG2端、BL1端以及CSL端的脉冲电压低电平为-3.5V；施加在所述BL2端的脉冲电压高电平为1.08V。

4.根据权利要求2或3所述的Flash器件耐久性能测试方法，其特征在于：步骤三中在一个所述周期的擦除状态下，施加在所述CG1端的脉冲电压低电平为-3.5V；施加在所述SG1端和SG2端的脉冲电压高电平为1.2V；施加在所述PW端、CG2端、BL1端以及CSL端的脉冲电压高电平为6V；施加在所述BL2端的脉冲电压高电平为6V。

5.根据权利要求1所述的Flash器件耐久性能测试方法，其特征在于：步骤三中一个所述周期时长为8至10毫秒。

6.根据权利要求5所述的Flash器件耐久性能测试方法，其特征在于：步骤三中一个所述周期中，擦除状态的时长为6毫秒，写入状态的时长为2毫秒。

7.根据权利要求1所述的Flash器件耐久性能测试方法，其特征在于：所述Flash器件为E-flash器件。