[发明专利]存储器的制作设备及制作方法

说明书

本发明实施例公开了一种存储器的制作设备及制作方法，该制作设备包括：壳体，包括用于容纳目标物的腔体；第一暂存箱，用于暂存第一类反应气体；第一类进气管，第一类进气管的第一端与第一暂存箱连通，第一类进气管的第二端与腔体连通，用于向腔体内输送第一类反应气体；第一阀门，位于第一类反应气体流通的第一气流通路上，用于在第一暂存箱中的第一类反应气体的压强大于腔体内的压强时，导通第一气流通路；第三类进气管，与腔体连通，用于向腔体内输送第三类反应气体；其中，第三类反应气体与电离后的第一类反应气体发生反应生成第一产物，至少部分第一产物与目标物表面的物质发生反应生成第二产物，第二产物的电阻值小于预设电阻值。

技术领域

本发明实施例涉及集成电路领域，特别涉及一种存储器的制作设备及制作方法。

背景技术

在集成电路产业中，需要形成贯穿堆叠结构的预定结构，以实现存储器的特定功能。例如，在贯穿堆叠结构的接触通孔中形成接触连线(contact)，或者在贯穿堆叠结构的沟槽中形成存储器的位线(bit line)。

随着对存储器存储容量的需求不断增大，以及对存储器集成度的需求增大，接触连线底部与设置有堆叠结构的半导体衬底之间、或者位线与该半导体衬底之间，容易出现连接不良的状况，对存储器的性能产生不利影响。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种存储器的制作设备及制作方法。

本发明实施例第一方面提供一种存储器的制作设备，包括：

壳体，包括用于容纳目标物的腔体；

第一暂存箱，用于暂存第一类反应气体；

第一类进气管，所述第一类进气管的第一端与所述第一暂存箱连通，所述第一类进气管的第二端与所述腔体连通，用于向所述腔体内输送所述第一类反应气体；

第一阀门，位于所述第一类反应气体流通的第一气流通路上，用于在所述第一暂存箱内的压强大于所述腔体内的压强时，导通所述第一气流通路；

第三类进气管，与所述腔体连通，用于向所述腔体内输送第三类反应气体；其中，所述第三类反应气体与电离后的所述第一类反应气体发生反应生成第一产物，至少部分所述第一产物与所述目标物表面的物质发生反应生成第二产物，所述第二产物的电阻值小于预设电阻值。

可选地，所述设备还包括：

第二暂存箱，用于暂存第二类反应气体；

第二类进气管，所述第二类进气管的第一端与所述第二暂存箱连通，所述第二类进气管的第二端与所述腔体连通，用于向所述腔体内输送所述第二类反应气体；

第二阀门，位于所述第二类反应气体流通的第二气流通路上，用于在所述第二暂存箱内的压强大于所述腔体内的压强时，导通所述第二气流通路；

其中，部分所述第一产物与所述第二类反应气体发生反应生成第三产物，所述第三产物与所述第一类反应气体之间的化学反应为惰性。

可选地，所述设备还包括：

流量控制器，位于所述第三类进气管上，用于在所述第一气流通路导通时，将输送至所述腔体内的所述第三类反应气体的流量从第一流量减小至第二流量。

可选地，所述设备还包括：

气流驱动装置，用于将所述腔体内的气体排出所述腔体；

出气管，所述出气管的一端与所述腔体上的出气孔连通，所述出气管的另一端与所述气流驱动装置连通，用于输出所述腔体内的气体。

可选地，所述设备还包括：