[发明专利]包括场隔离层的集成电路器件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括静态随机存取存储器阵列，该静态随机存取存储器阵列包括在基板上的多个静态随机存取存储器单元，

其中所述静态随机存取存储器阵列包括：

第一至第四有源鳍，沿第一方向延伸并设置为彼此平行；

第一栅极线，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸，并与所述第二至第四有源鳍重叠；

第二栅极线，在所述第一方向上与所述第一栅极线间隔开，沿所述第二方向延伸，并与所述第一至第三有源鳍重叠；

第三栅极线，在所述第一方向上与所述第一栅极线间隔开，沿所述第二方向延伸，并与所述第四有源鳍重叠；

第四栅极线，在所述第一方向上与所述第二栅极线间隔开，沿所述第二方向延伸，并与所述第一有源鳍重叠；

器件隔离层，覆盖所述第一至第四有源鳍中的每个的下侧壁；

第一场隔离层，与所述第二有源鳍的一端接触；以及

第二场隔离层，与所述第三有源鳍的一端接触，

其中所述第一场隔离层接触所述器件隔离层的侧壁，并且突出超过所述器件隔离层的上表面，并且在所述第一方向上与所述第二有源鳍对准。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一场隔离层和所述第二场隔离层每个包括分别向所述第二有源鳍和所述第三有源鳍施加压应力的材料。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一场隔离层和所述第二场隔离层均包括氮化物。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中第一上拉晶体管形成在所述第三有源鳍和所述第一栅极线的交叉点处，第二上拉晶体管形成在所述第二有源鳍和所述第二栅极线的交叉点处。

5.根据权利要求4所述的集成电路器件，其中所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管是P型金属氧化物半导体晶体管。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一场隔离层与所述第一栅极线的一个侧表面接触，所述第二场隔离层与所述第二栅极线的一个侧表面接触。

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

第一栅极隔离层，设置在所述第一栅极线和所述第四栅极线之间；和

第二栅极隔离层，设置在所述第二栅极线和所述第三栅极线之间。

8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中所述第一场隔离层设置为在所述第二方向上与所述第一栅极隔离层间隔开，所述第二场隔离层设置为在所述第二方向上与所述第二栅极隔离层间隔开。

9.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中所述第一场隔离层的一个侧表面与所述第一栅极隔离层的一个侧表面接触，所述第二场隔离层的一个侧表面与所述第二栅极隔离层的一个侧表面接触。

10.根据权利要求7所述的集成电路器件，还包括设置在所述第一至第四有源鳍中的每个上的源极和漏极区，

其中所述第一场隔离层和所述第二场隔离层中的每个的两个侧表面中的至少一个与所述源极和漏极区接触。

11.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中所述第一场隔离层和所述第二场隔离层的上端的水平对应于所述第一至第四有源鳍的上端的水平。