[发明专利]具量子点的画素基板及其制作方法

权利要求书

1.一种具量子点的画素基板，其特征在于，包含：

一透明基板；

一黑矩阵层，形成于该透明基板的表面，并定义数个像素空间；

数个量子点胶层，个别形成于该数个像素空间中；及

其中，该黑矩阵层由负型光阻材料硬化制作而成，且构成下部为准直形结构及上部为倒梯形结构的漏斗形结构，而使该数个像素空间分别构成一倒漏斗形的碗状结构，且该量子点胶层的厚度小于或等于该准直形结构的厚度。

2.如权利要求1所述的具量子点的画素基板，其特征在于，该黑矩阵层的厚度介于3um至40um之间。

3.如权利要求1所述的具量子点的画素基板，其特征在于，该黑矩阵层的厚度介于3um至30um之间。

4.如权利要求1所述的具量子点的画素基板，其特征在于，该黑矩阵层的厚度介于3um至20um之间。

5.如权利要求1所述的具量子点的画素基板，其特征在于，该黑矩阵层的倒梯形结构与该透明基板的一夹角的角度介于45至90度之间。

6.如权利要求1所述的具量子点的画素基板，其特征在于，该黑矩阵层的倒梯形结构与该透明基板的一夹角的角度介于60至85度之间。

7.如权利要求2或3所述的具量子点的画素基板，其特征在于，该数个量子点胶层的厚度介于1um~15um之间。

8.如权利要求2或3所述的具量子点的画素基板，其特征在于，该数个量子点胶层的厚度介于1um~9um之间。

9.如权利要求1所述的具量子点的画素基板，其特征在于，该数个量子点胶层包含了数组量子点胶，且其中具有相同光转换率的量子点胶的量子点胶层厚度相同，具有不同光转换效率的量子点胶的量子点胶层厚度不同。

10.如权利要求9所述的具量子点的画素基板，其特征在于，该数个量子点胶层中，具有高光转换效率的该量子点胶层的厚度小于具有低光转换效率的该量子点胶层的厚度。

11.一种具量子点的画素基板的制作方法，其特征在于，包含：

于透明基板的表面形成一光阻层；

以一光罩对该光阻层进行曝光；

移除未被曝光的该光阻层，并将已被曝光的该光阻层制作为准直形结构；

再于透明基板的表面及已被曝光的该光阻层形成另一光阻层；

以另一光罩对该另一光阻层进行曝光；

移除未被曝光的该另一光阻层，并将已被曝光的该另一光阻层制作为倒梯形结构，以使下部为准直形结构的该光阻层及上部为倒梯形结构的该另一光阻层构成一呈漏斗形结构的黑矩阵层，以定义数个像素空间分别为一倒漏斗形的碗状结构；

固化该黑矩阵层；及

将该数个像素空间个别对应灌注相对应画素材料以分别形成一量子点胶层，且该量子点胶层的厚度小于或等于该准直形结构的该光阻层的厚度。

12.如权利要求11所述的具量子点的画素基板的制作方法，其特征在于，于该透明基板的表面形成该光阻层的步骤，是运用喷涂法。

13.如权利要求11所述的具量子点的画素基板的制作方法，其特征在于，将该数个像素空间个别对应灌注相对应画素材料以形成该数个量子点胶层的步骤，是运用喷墨涂布法。

14.如权利要求11所述的具量子点的画素基板的制作方法，其特征在于，该黑矩阵层的厚度介于3um至40um之间。

15.如权利要求11所述的具量子点的画素基板的制作方法，其特征在于，该黑矩阵层的厚度介于3um至30um之间。