[发明专利]一种基于键合工艺制备超厚胶膜的制作方法

说明书

本发明公开了一种基于键合工艺制备超厚胶膜的制作方法，具体包括如下步骤：101)辅助载板制作步骤、102)电路载板制作步骤、103)键合步骤和104)去辅助载板步骤；本发明提供具有超厚保护膜、且成品率高的一种基于键合工艺制备超厚胶膜的制作方法。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体的说，它涉及一种基于键合工艺制备超厚胶膜的制作方法。

背景技术

晶圆级封装技术是先进封装领域用的最广的一种技术，尤其是对于消费类产品，晶圆级封装以其尺寸小，重量轻，厚度薄等优点，被广泛应用于移动电子设备，微型功能设备上。

晶圆级封装一般涉及到的工艺包括介质层涂布，线路布置和互联锡球植入等工艺，在介质层涂布环节，需要用PI胶涂布在晶圆表面，使晶圆表面的线路能完全被介质层覆盖，以此保护线路不受腐蚀，同时使上下两层金属绝缘。

但是在实际应用当中，对于一些特别工艺，金属线厚度较大，对于涂布PI层来覆盖金属线来说，工艺难度越来越大，尤其是对于高度超过30um的金属线路，当PI层在旋涂的时候越过金属线表面后，往往不能继续在金属线的背部继续覆盖，而是在向心力的作用下，直接飞出。这种工艺往往需要涂布三层PI才能勉强把线路的两个测面同时盖住，增加了成本，还降低了产品可靠性。

发明内容

本发明克服了现有技术的不足，提供具有超厚保护膜、且成品率高的一种基于键合工艺制备超厚胶膜的制作方法。

本发明的技术方案如下：

一种基于键合工艺制备超厚胶膜的制作方法，具体包括如下步骤：

101)辅助载板制作步骤：在辅助载板表面制作分离层，该分离层采用喷涂法、旋涂法或者直接粘贴工艺制成；分离层表面涂布光刻胶，涂布方式采用喷涂法、旋涂法或者直接粘贴工艺来实现；其中，通过涂布多次光刻胶的方式获得辅助厚胶膜，辅助厚胶膜厚度在10nm到1000um之间；

102)电路载板制作步骤：在布有电路金属线的电路载板表面涂布光刻胶，涂布方式采用喷涂法、旋涂法或者直接粘贴工艺来实现；其中，通过涂布多次光刻胶的方式获得保护厚胶膜，保护厚胶膜厚度在10nm到1000um之间；通过软烘烤使保护厚胶膜流平，实现电路载板表面的光刻胶平整最大化；

103)键合步骤：将步骤101)电路载板设置保护厚胶膜的一侧和步骤102)辅助载板设置辅助厚胶膜的一侧，在真空环境下进行热压键合，使保护厚胶膜和辅助厚胶膜粘合在一起形成保护膜；

104)去辅助载板步骤：通过加热或者光照射使辅助载板和电路载板分离，并通过干法刻蚀或者湿法清洗工艺去除保护膜表面的分离层，得到涂有保护膜的电路载板。

进一步的，光刻胶采用正胶或负胶。

进一步的，辅助载板采用4、6、8、12寸中的一种尺寸，厚度范围为200um到2000um，采用硅、玻璃、石英、碳化硅、氧化铝、环氧树脂、聚氨酯材料中的一种。

进一步的，电路金属线高度范围在10um到200um之间，宽度在1um到1000um之间；电路金属线其采用一层或多层结构，材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合。

本发明相比现有技术优点在于：本发明先在辅助载板、电路载板表面制作相应厚胶膜，然后通过加热键合的工艺在接近真空条件把两者上的厚胶膜进行压合，使形成超厚的保护膜在电路载板表面，然后将辅助载板去除，以此达到在电路载板表面涂布超厚PI层(光刻胶)的目的，该方法解决了传统旋涂工艺对电路载板表面超高线路侧壁的胶体覆盖不均匀的问题，同时降低了工艺难度，使超大厚度胶膜的涂布简单化，且成品率大大提升。

附图说明

图1为本发明的辅助载板上设置辅助厚胶膜示意图；