[发明专利]一种光栅硅片的切割方法

说明书

本发明公开了一种光栅硅片的切割方法，包括：提供一圆形光栅硅片，在所述光栅硅片表面的边缘位置上确定出四个沿圆周均匀分布的点的坐标；在所述光栅硅片表面的边缘位置上形成与所述点的坐标对应的四个标记；利用划片机上的视觉图像定位功能，检测出所述光栅硅片上四个所述标记的位置；根据四个所述标记之间的连线，在所述光栅硅片上确定出一正方形切割区域；根据所述切割区域，确定切割起始点和切割路径行程；利用所述划片机，在所述光栅硅片上切割出与所述切割区域面积对应的有效光栅。本发明能够简单，精准，高效地实现切割出光栅硅片的最大有效光栅面积。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，特别是涉及一种能够将平面光栅硅片切割出最大有效光栅的精密切割方法。

背景技术

在利用半导体切割设备(例如划片机)对光栅硅片(wafer)进行切割时，由于无法精准定位到切割起始点，且不能划出最大面积的有效光栅，因而容易在切割时破坏很多有效光栅，如图1中矩形框显示的实际切割区域。由此降低了光栅利用率。

当前的半导体切割领域，在对平面光栅硅片进行切割时，只是通过硅片上的对位标记(alignment mark)进行圆片对位，切出硅片中的每一颗芯片。然而，对于要切出最大面积的有效光栅图形，并没有很好的定位解决方法；并且，现有的切割方式，由于缺乏行程限位标记,在切割过程中会破坏很多有效光栅。因而切割误差大，有效区域利用率低等问题一直存在。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种光栅硅片的切割方法，以简单高效地实现切割出光栅硅片的最大有效光栅面积。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种光栅硅片的切割方法，包括：

提供一圆形光栅硅片，在所述光栅硅片表面的边缘位置上确定出四个沿圆周均匀分布的点的坐标；

在所述光栅硅片表面的边缘位置上形成与所述点的坐标对应的四个标记；

利用划片机上的视觉图像定位功能，检测出所述光栅硅片上四个所述标记的位置；根据四个所述标记之间的连线，在所述光栅硅片上确定出一正方形切割区域；根据所述切割区域，确定切割起始点和切割路径行程；

利用所述划片机，在所述光栅硅片上切割出与所述切割区域面积对应的有效光栅。

进一步地，所述在所述光栅硅片表面的边缘位置上确定出四个均匀分布的点的坐标，具体包括：

以所述光栅硅片的圆心为坐标原点，在所述光栅硅片上建立一直角坐标系；

在所述直角坐标系的X轴和Y轴上确定出分别与所述坐标原点等距的四个所述点的坐标，所述点的坐标位于所述光栅硅片表面边缘与所述X轴和Y轴相交的位置上。

进一步地，所述在所述光栅硅片表面的边缘位置上形成与所述点的坐标对应的四个标记，具体包括：

利用一光罩，根据所述点的坐标，在所述光栅硅片表面的边缘位置上形成与所述点的坐标对应的四个曝光标记。

进一步地，所述曝光标记为十字形，所述连线连接所述十字形标记的交叉点。

进一步地，每两个相邻的所述曝光标记的十字形的其中一条边相对准。

进一步地，所述划片机根据每两个相邻的所述曝光标记的十字形中相对准的一条边，建立所述连线。

进一步地，所述划片机根据每两个相邻的所述曝光标记的十字形中的对应边，在所述划片机的坐标系统中建立水平及竖直方向上的切割坐标。

进一步地，确定以四个所述标记中的其中一个作为切割起始点和切割终点。