[发明专利]半导体保护用粘合带在审
申请号: | 201910906514.6 | 申请日: | 2019-09-24 |
公开(公告)号: | CN110938383A | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 佐佐木贵俊;水野浩二;户田乔之 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | C09J7/22 | 分类号: | C09J7/22;C09J7/50;C09J7/38;C09J133/08;H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 保护 粘合 | ||
1.一种半导体保护用粘合带,其具备:基材、配置于该基材的至少单侧的粘合剂层、和配置于该基材与该粘合剂层之间的中间层,
粘合剂层的储能模量A、中间层的厚度B、粘合剂层的厚度C、及粘合剂层的粘性值D满足下述式(1),其中,所述储能模量A的单位为MPa,所述厚度B的单位为μm,所述厚度C的单位为μm,所述粘性值D的单位为N,
A×(B/C)×D≥20(MPa·N)···(1)。
2.根据权利要求1所述的半导体保护用粘合带,其中,利用热机械分析TMA,将压痕深度设为所述粘合剂层和所述中间层的合计厚度的80%,将直径1.0mm的探针压入该粘合剂层来测定载荷值时,测定开始1秒后~300秒后的、载荷的变化量为1600μN/(mm2·秒)以下,所述载荷的变化量的单位为μN/(mm2·秒)。
3.根据权利要求1或2所述的半导体保护用粘合带,其中,所述粘合剂层的厚度为2μm~50μm。
4.根据权利要求1或2所述的半导体保护用粘合带,其中,所述中间层的厚度为50μm~500μm。
5.根据权利要求1或2所述的半导体保护用粘合带,其中,所述粘合剂层的粘性值为0.05N~0.5N。
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