[发明专利]半导体保护用粘合带

说明书

本发明提供能良好地嵌入凹凸面、并且防止残胶的半导体保护用粘合带。本发明的半导体保护用粘合带具备：基材、配置于该基材的至少单侧的粘合剂层、和配置于该基材与该粘合剂层之间的中间层，粘合剂层的储能模量A(MPa)、中间层的厚度B(μm)、粘合剂层的厚度C(μm)、及粘合剂层的粘性值D(N)满足下述式(1)。A×(B/C)×D≥20(MPa·N)···(1)

技术领域

本发明涉及半导体保护用粘合带。

背景技术

以往，在制造半导体芯片时，进行磨削半导体晶圆的背面直到变成期望的厚度为止的背面磨削工序。背面磨削工序中，为了将半导体晶圆固定，并且保护与磨削面处于相反侧的面，使用了保护用粘合带(背面磨削带)(例如，专利文献1)。通常，背面磨削带由基材和粘合剂层构成。这样的背面磨削带将粘合剂层侧贴附于半导体晶圆的表面(晶圆的与磨削面处于相反侧的面)而使用，在磨削半导体晶圆的背面后剥离。

另一方面，作为半导体芯片，例如已知有如指纹验证传感器中所用的倒装芯片型的半导体芯片那样在其表面具备作为电极的凸块的半导体芯片。这种半导体芯片的制造中，用背面磨削带覆盖具备凸块的半导体晶圆的凸块面并对该晶圆的背面进行磨削。作为这样利用的背面磨削带，从通过加热可提高对凸块的追随性的方面出发，大多利用使用了热塑性粘合剂的背面磨削带。但是，近年来，随着半导体晶圆的薄化，有时由磨削热引起的热塑性粘合剂的熔融成为问题。

以往，已知的是使用丙烯酸系粘合剂作为耐热性优异的粘合剂的背面磨削带，但调整为能填埋凸块的凹凸的柔软的程度的丙烯酸系粘合剂有在剥离后产生残胶的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-151163号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的课题在于，提供能良好地嵌入凹凸面、并且防止残胶的半导体保护用粘合带。

用于解决问题的方案

本发明的半导体保护用粘合带具备：基材、配置于该基材的至少单侧的粘合剂层、和配置于该基材与该粘合剂层之间的中间层，粘合剂层的储能模量A(MPa)、中间层的厚度B(μm)、粘合剂层的厚度C(μm)、及粘合剂层的粘性值D(N)满足下述式(1)。

A×(B/C)×D≥20(MPa·N)···(1)

1个实施方式中，利用热机械分析(TMA)，将压痕深度设为前述粘合剂层和前述中间层的合计厚度的80％，将直径1.0mm的探针压入该粘合剂层来测定载荷值时，测定开始1秒后～300秒后的、载荷的变化量(μN/(mm²·秒))为1600(μN/(mm²·秒))以下。

1个实施方式中，上述粘合剂层的厚度为2μm～50μm。

1个实施方式中，上述中间层的厚度为50μm～500μm。

1个实施方式中，上述粘合剂层的粘性值为0.05N～0.5N。

发明的效果

根据本发明，可提供能良好地嵌入凹凸面、并且防止残胶的半导体保护用粘合带。

附图说明

图1为本发明的1个实施方式的半导体保护用粘合带的示意截面图。

附图标记说明

10 基材

20 中间层