[发明专利]用于纳米级相变存储器单元的水平电极配置结构有效
| 申请号： | 201910906738.7 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110635031B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 马平;童浩;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 宋敏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 纳米 相变 存储器 单元 水平 电极 配置 结构 | ||
1.一种用于纳米级相变存储器单元的水平电极配置结构，其特征在于：
所述水平电极配置结构(100)包括上层电极材料层(120)和下层相变材料层(130)；
所述上层电极材料层(120)包括外环共漏接地上层电极(122)和内部源端上层电极(124)，所述内部源端上层电极(124)位于所述外环共漏接地上层电极(122)中，两者之间具有环形槽；
所述内部源端上层电极(124)接源端、所述外环共漏接地上层电极(122)共漏接地，所述内部源端上层电极(124)与所述外环共漏接地上层电极(122)不可进行源漏端交换，电流从所述内部源端上层电极(124)的等电势面水平流向所述外环共漏接地上层电极(122)的外环等电势面。
2.如权利要求1所述的用于纳米级相变存储器单元的水平电极配置结构，其特征在于：
所述外环共漏接地上层电极(122)和内部源端上层电极(124)是基于同一次光刻工序形成的，采用相同的材料。
3.如权利要求1所述的用于纳米级相变存储器单元的水平电极配置结构，其特征在于：
所述上层电极材料层(120)之上设置绝缘介质保护层。
4.如权利要求1所述的用于纳米级相变存储器单元的水平电极配置结构，其特征在于：
所述上层电极材料层(120)之上不设置绝缘介质保护层。
5.如权利要求1所述的用于纳米级相变存储器单元的水平电极配置结构，其特征在于：
所述上层电极材料层(120)和下层相变材料层(130)之间设置金属粘附层或电极匹配层。
6.如权利要求5所述的用于纳米级相变存储器单元的水平电极配置结构，其特征在于：
所述金属粘附层或电极匹配层为Ti。
7.如权利要求1所述的用于纳米级相变存储器单元的水平电极配置结构，其特征在于：
所述上层电极材料层(120)和下层相变材料层(130)之间直接接触、不设置金属粘附层或电极匹配层。
8.如权利要求1所述的用于纳米级相变存储器单元的水平电极配置结构，其特征在于：
所述下层相变材料层(130)采用硫系化合物。
9.如权利要求8所述的用于纳米级相变存储器单元的水平电极配置结构，其特征在于：
所述下层相变材料层(130)采用Ge-Sb-Te系列相变材料或AIST系列相变材料。
10.如权利要求8所述的用于纳米级相变存储器单元的水平电极配置结构，其特征在于：
所述下层相变材料层(130)采用非硫系的Ge-Sb系列相变材料。
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