[发明专利]一种改善卷边残铜的封装基板制造方法在审
| 申请号： | 201910909360.6 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110581062A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 叶新智;王健;杨洁;孙彬;沈洪;李晓华 | 申请（专利权）人： | 江苏上达电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027 |
| 代理公司： | 32220 徐州市三联专利事务所 | 代理人： | 张帅 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属层 绝缘薄膜层 光刻胶涂布 封装基板 光刻胶 残铜 卷边 卷带 显影 电子元器件 光刻胶残留 两侧边缘处 光刻胶层 金属层面 涂布加工 显影设备 线路板 曝光 保护层 链轮孔 薄层 基材 黏附 剥离 加工 制造 | ||
1.一种改善卷边残铜的封装基板制造方法，其特征在于，包括步骤：
步骤A：准备由金属层（1）和绝缘薄膜层（2）构成的基材；
步骤B：在绝缘薄膜层（2）上黏附一层PI层（3），PI层（3）的宽幅大于基材的宽幅；
步骤C：在金属层（1）上进行光刻胶涂布，在金属层（1）和PI层（3）上形成一层光刻胶薄层（4）；
步骤D：在组成部位的两侧边缘处形成搬送链轮孔（5）；
步骤E：剥离绝缘薄膜层（2）上的PI层（3），PI层（3）上的光刻胶随之脱落，留下由光刻胶层（4）、金属层（1）和绝缘薄膜层（2）组成的卷带；
步骤F：将得到的卷带，进行曝光、显影加工，形成线路后，设置保护层，搭载电子元器件，最终得到封装基板。
2.根据权利要求1所述的一种改善卷边残铜的封装基板制造方法，其特征在于：所述的金属层（1）为导电性金属。
3.根据权利要求2所述的一种改善卷边残铜的封装基板制造方法，其特征在于：所述的导电性金属为铜。
4.根据权利要求1所述的一种改善卷边残铜的封装基板制造方法，其特征在于：所述的PI层（3）为聚酰亚胺薄膜。
5.根据权利要求1所述的一种改善卷边残铜的封装基板制造方法，其特征在于：所述的绝缘薄膜层（2）为聚酰亚胺类树脂、环氧树脂或液晶聚合物，支撑表面金属层（1）。
6.根据权利要求1所述的一种改善卷边残铜的封装基板制造方法，其特征在于：所述的步骤C在金属层（1）上进行光刻胶涂布时，金属层（1）整体均匀涂布。
7.根据权利要求1所述的一种改善卷边残铜的封装基板制造方法，其特征在于：所述的步骤D在组成部位的两侧边缘处使用专用模具，通过冲孔的方式形成搬送链轮孔（5）。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
