[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上方形成鳍；

邻近所述鳍形成隔离区域；

在所述鳍上方形成伪结构；

使用第一蚀刻工艺使邻近所述伪结构的鳍凹进以形成第一凹槽；

使用第二蚀刻工艺重塑所述第一凹槽以形成重塑第一凹槽，其中，所述重塑第一凹槽的底部由所述第一侧壁表面的晶面与所述第二侧壁表面的晶面的交叉点限定，其中，所述第一侧壁表面面向所述第二侧壁表面；以及

在所述重塑第一凹槽中外延生长源极/漏极区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺相对于具有第二晶体取向的第二晶面选择性地蚀刻具有第一晶体取向的晶面，其中，所述第一侧壁表面的晶面具有所述第一晶体取向，并且其中，所述第一侧壁表面包括具有所述第二晶体取向的第二晶面。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二晶面具有(111)晶体取向。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺包括使用氢自由基的等离子体蚀刻工艺。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺还包括形成氩等离子体。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一凹槽的底部与相邻的伪结构之间的第一横向距离小于所述重塑第一凹槽的底部与所述相邻的伪结构之间的第二横向距离。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述重塑第一凹槽中外延生长源极/漏极区域包括：

在所述重塑第一凹槽中外延生长第一半导体材料，其中，所述第一半导体材料覆盖所述重塑第一凹槽的底部；

在所述第一半导体材料上方外延生长第二半导体材料，所述第二半导体材料具有与所述第一半导体材料不同的组分；以及

在所述第二半导体材料上方外延生长第三半导体材料，所述第三半导体材料与所述第二半导体材料不同。

8.一种形成半导体器件的方法，包括

图案化衬底以形成带，所述带包括第一半导体材料；

沿着所述带的侧壁形成隔离区域，所述带的上部在所述隔离区域的顶面之上延伸；

沿着所述带的上部的侧壁和顶面形成伪结构；

对所述带的上部的暴露部分实施第一蚀刻工艺以形成第一凹槽，所述带的暴露部分通过所述伪结构暴露；

在实施所述第一蚀刻工艺之后，使用第二蚀刻工艺将所述第一凹槽重塑为具有V形底面，其中，所述第二蚀刻工艺相对于具有第二取向的第二晶面对具有第一取向的第一晶面具有选择性；以及

在所述重塑第一凹槽中外延生长源极/漏极区域。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺具有比所述第一蚀刻工艺更慢的蚀刻速率。

10.一种半导体器件，包括：

鳍，位于衬底上方，其中，所述鳍的底部处的第一侧壁表面沿着第一晶体取向的晶面；

隔离区域，邻近所述鳍；

栅极结构，沿着所述鳍的侧壁并且位于所述鳍的顶面上方；

栅极间隔件，横向邻近所述栅极结构；以及

外延区域，邻近所述鳍，其中，所述外延区域的底部逐渐变细至一点。