[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

用于形成半导体器件的方法包括图案化衬底以形成带，该带包括第一半导体材料，沿着该带的侧壁形成隔离区域，该带的上部在隔离区域的顶面之上延伸，沿着该带的上部的侧壁和顶面形成伪结构，对该带的上部的暴露部分实施第一蚀刻工艺以形成第一凹槽，该带的暴露部分通过伪结构暴露，在实施第一蚀刻工艺之后，使用第二蚀刻工艺将第一凹槽重塑为具有V形底面，其中，第二蚀刻工艺相对于具有第二取向的第二晶面对具有第一取向的第一晶面具有选择性，以及在重塑第一凹槽中外延生长源极/漏极区域。本发明的实施例还提供了半导体器件。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于诸如例如个人电脑、手机、数码相机和其它电子设备的各种电子应用中。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻图案化各个材料层以在各个材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。

半导体工业通过不断减小最小部件尺寸持续地改进各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成至给定的区域。然而，随着最小部件尺寸的减小，出现了应该解决的其它问题。

发明内容

本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成鳍；邻近所述鳍形成隔离区域；在所述鳍上方形成伪结构；使用第一蚀刻工艺使邻近所述伪结构的鳍凹进以形成第一凹槽；使用第二蚀刻工艺重塑所述第一凹槽以形成重塑第一凹槽，其中，所述重塑第一凹槽的底部由所述第一侧壁表面的晶面与所述第二侧壁表面的晶面的交叉点限定，其中，所述第一侧壁表面面向所述第二侧壁表面；以及在所述重塑第一凹槽中外延生长源极/漏极区域。

本发明的另一实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：图案化衬底以形成带，所述带包括第一半导体材料；沿着所述带的侧壁形成隔离区域，所述带的上部在所述隔离区域的顶面之上延伸；沿着所述带的上部的侧壁和顶面形成伪结构；对所述带的上部的暴露部分实施第一蚀刻工艺以形成第一凹槽，所述带的暴露部分通过所述伪结构暴露；在实施所述第一蚀刻工艺之后，使用第二蚀刻工艺将所述第一凹槽重塑为具有V形底面，其中，所述第二蚀刻工艺相对于具有第二取向的第二晶面对具有第一取向的第一晶面具有选择性；以及在所述重塑第一凹槽中外延生长源极/漏极区域。

本发明的又一实施例提供了一种半导体器件，包括：鳍，位于衬底上方，其中，所述鳍的底部处的第一侧壁表面沿着第一晶体取向的晶面；隔离区域，邻近所述鳍；栅极结构，沿着所述鳍的侧壁并且位于所述鳍的顶面上方；栅极间隔件，横向邻近所述栅极结构；以及外延区域，邻近所述鳍，其中，所述外延区域的底部逐渐变细至一点。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据一些实施例的鳍式场效应晶体管(“FinFET”)器件的立体图。

图2A是根据一些实施例的FinFET器件的制造中的中间阶段的截面图。

图3A是根据一些实施例的FinFET器件的制造中的中间阶段的截面图。

图4A是根据一些实施例的FinFET器件的制造中的中间阶段的截面图。

图5A是根据一些实施例的FinFET器件的制造中的中间阶段的截面图。

图6A至图6B是根据一些实施例的FinFET器件的制造中的中间阶段的截面图。

图7A至图7C是根据一些实施例的FinFET器件的制造中的中间阶段的截面图。

图8A至图8C是根据一些实施例的FinFET器件的制造中的中间阶段的截面图。