[发明专利]一种铟柱回熔缩球系统及方法

说明书

本发明提出了一种铟柱回熔缩球系统和方法，用以在芯片回熔缩球工艺过程中，避免多次夹取芯片造成芯片损伤，提高产品成品率。所述铟柱回熔缩球系统，包括：清洗工艺系统，包括：第一夹具，用于承载待处理器件；第二夹具，用于固定第一夹具；机械臂，用于在控制电路的控制下，带动第一夹具在第一清洗槽的洗液或者第二清洗槽的洗液中上下晃动；风干工艺系统，包括：气泵，用于在开启后，将待处理器件吸附于第一夹具上；氮气喷枪，用于风干待处理器件表面；回熔工艺系统，包括：恒温回熔加热台，用于加热回熔试剂对待处理器件进行铟柱起球；恒温过渡加热台，用于暂存起球后的待处理器件。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种铟柱回熔缩球系统及方法。

背景技术

混成式焦平面器件进行倒装焊工艺前，需要对芯片表面的铟柱阵列进行回熔处理，使铟柱回熔成球。将铟柱回熔成铟球的工艺操作，可以提高铟球凸点高度，一方面提高面阵光敏芯片与电路芯片的互连可靠性，解决因器件表面不平整导致的部分像元无法互连的问题，另一方面有效缩小铟柱之间的差异，保障后期倒装焊工艺的顺利开展。

回熔缩球工艺过程中，工作人员需要手动夹持电路芯片，将生长有铟柱芯片依次放置到装有丙酮、酒精的容器中晃动清洗，去除芯片表面多余物与沾污，然后夹持芯片放置于高温回熔液中，进行回熔缩球，缩球工艺完成后夹取出芯片，酒精冲洗去除芯片上的回熔液，氮气吹干，待后续工艺使用。如图1a所示，其为铟柱生长示意图，如图1b所示，其为铟柱剥离示意图，如图图1c所示，其为回熔缩球示意图。

但是，现有的回熔缩球工艺过程中，清洗和回熔过程中需多次夹取芯片，易造成芯片损伤，降低了产品成品率。

发明内容

本发明要解决的技术问题是在芯片回熔缩球工艺过程中，避免多次夹取芯片造成芯片损伤，提高产品成品率，提供一种铟柱回熔缩球系统和方法。

第一方面，提供一种铟柱回熔缩球系统，包括清洗工艺系统、风干工艺系统和回熔工艺系统，其中，所述清洗工艺系统，包括机械臂及其控制电路、第一夹具、第二夹具、第一清洗槽和第二清洗槽，所述第二夹具固定于所述机械臂上，所述第一清洗槽中和所述第二清洗槽中储存有不同的洗液；所述风干工艺系统包括气泵和氮气喷枪，所述气泵通过气泵接口与所述第一夹具连接；所述回熔工艺系统包括恒温回熔加热台和恒温过渡加热台，其中：

所述第一夹具，用于承载待处理器件；

所述第二夹具，用于固定所述第一夹具；

所述机械臂，用于在所述控制电路的控制下，带动所述第一夹具在所述第一清洗槽的洗液或者第二清洗槽的洗液中上下晃动；

所述气泵，用于在开启后，将所述待处理器件吸附于所述第一夹具上；

所述氮气喷枪，用于风干待处理器件表面；

所述恒温回熔加热台，用于加热回熔试剂对待处理器件进行铟柱起球；

所述恒温过渡加热台，用于暂存起球后的待处理器件。

在一种实施例中，所述第一夹具为圆形，所述第一夹具正表面上设置有若干个凹槽，所述凹槽用于放置所述待处理器件。

在一种实施例中，所述凹槽为六边形。

在一种实施例中，所述凹槽的深度不超过所述待处理器件的厚度。

在一种实施例中，所述凹槽中心设置有第一圆孔，所述第一圆孔尺寸不大于所述待处理器件的尺寸。

在一种实施例中，所述第一夹具为中空结构，空腔与每个凹槽内的第一圆孔相同，所述第一夹具背面开有第二圆孔，所述第二圆孔与所述空腔相通，所述第一夹具通过所述第二圆孔与所述气泵接口相连。

在一种实施例中，所述第一夹具采用碳化硅材料制成。