[发明专利]一种含膦稠杂环化合物及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种含膦稠杂环化合物，其特征在于，所述含膦稠杂环化合物具有如下式I、式II、式III、式IV或式V所示结构：

其中，T¹、T²各自独立地为氧或硫；

Ar¹、Ar²各自独立地选自中的任意一种，其中虚线表示基团的接入位置；

Ar³、Ar⁴各自独立地选自氢、氘、中的任意一种，且Ar³、Ar⁴至少一个不为氢，其中虚线表示基团的接入位置；

Y¹-Y⁸各自独立地选自氢、甲基、甲氧基、乙烯基、中的任意一种，其中虚线表示基团的接入位置。

2.根据权利要求1所述的含膦稠杂环化合物，其特征在于，Ar¹和Ar²为相同的基团。

3.根据权利要求1所述的含膦稠杂环化合物，其特征在于，所述含膦稠杂环化合物选自如下化合物中的任意一种：

4.一种如权利要求1-3任一项所述的含膦稠杂环化合物的制备方法，其特征在于，所述制备方法为：

将原料A与通过Suzuki偶联反应得中间体1，中间体1与Ar¹-PCl₂、Ar²-PCl₂通过关环反应得中间体2，中间体2脱甲基并接枝OTf基团得中间体3，中间体3与Ar³-B(OH)₂、Ar⁴-B(OH)₂通过Suzuki偶联反应得中间体4，中间体4进行氧化反应，然后与或不与劳森试剂反应，得到具有式I、式II、式III、式IV或式V所示结构的含膦稠杂环化合物；

其中，所述原料A为

所述中间体1为

所述中间体2为

所述中间体3为

所述中间体4为

Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴、Y¹-Y⁸具有与权利要求1-2任一项相同的限定范围。

5.一种如权利要求1-3任一项所述的含膦稠杂环化合物的用途，其特征在于，所述含膦稠杂环化合物用作电子传输材料。

6.一种光电器件，其特征在于，所述光电器件中含有至少一种如权利要求1-3任一项所述的含膦稠杂环化合物。

7.根据权利要求6所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件为有机发光二极管、有机场效应晶体管、有机薄膜晶体管、有机发光晶体管、有机集成电路、有机太阳能电池、有机场淬灭器件、发光电化学电池、有机激光二极管或有机光感受器。

8.根据权利要求7所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件为有机发光二极管，所述有机发光二极管包括电子传输层，所述电子传输层的材料选自如权利要求1-3任一项所述的含膦稠杂环化合物中的一种或至少两种的组合。

9.根据权利要求8所述的光电器件，其特征在于，所述有机发光二极管包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求6所述的光电器件。

11.一种照明装置，其特征在于，所述照明装置包括权利要求6所述的光电器件。