[发明专利]光掩模基板、其修正方法、制造方法和处理方法、光掩模的制造方法以及基板处理装置在审
申请号: | 201910910496.9 | 申请日: | 2019-09-25 |
公开(公告)号: | CN110967924A | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 山口昇 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;G03F1/38 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 孟伟青;褚瑶杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光掩模基板 修正 方法 制造 处理 光掩模 以及 装置 | ||
1.一种光掩模基板的修正方法,其特征在于,该方法具有下述工序:
准备光掩模基板的工序,该光掩模基板在透明基板的一个主表面上形成有用于形成转印用图案的光学膜;以及
针对在所述光学膜中产生的缺失缺陷形成修正膜的修正工序,
所述修正工序中,将原料气体供给至所述光掩模基板的形成有所述光学膜的第1主表面中的所述缺失缺陷的位置附近,同时从所述光掩模基板的第2主表面侧照射激光,利用透过了所述缺失缺陷的所述激光使所述原料气体反应,使所述修正膜堆积在所述第1主表面的所述缺失缺陷的位置。
2.如权利要求1所述的光掩模基板的修正方法,其特征在于,在未经历所述光学膜的图案缺陷检查的情况下实行所述修正工序。
3.如权利要求1或2所述的光掩模基板的修正方法,其特征在于,所述光学膜和所述修正膜由能够利用同一蚀刻剂进行蚀刻的材料构成。
4.如权利要求1或2所述的光掩模基板的修正方法,其特征在于,所述光学膜和所述修正膜包含Cr。
5.如权利要求1或2所述的光掩模基板的修正方法,其中,所述光学膜包含遮光膜。
6.如权利要求1或2所述的光掩模基板的修正方法,其特征在于,使所述原料气体的供给单元和所述激光的照射单元在隔着所述光掩模基板相互对置的状态下在与所述光掩模基板平行的面内分别移动,来进行所述修正工序。
7.如权利要求1或2所述的光掩模基板的修正方法,其中,在所述修正工序之前具有对所述光掩模基板进行清洗的清洗工序。
8.如权利要求7所述的光掩模基板的修正方法,其特征在于,所述清洗工序包含物理清洗。
9.一种光掩模基板的制造方法,该方法包括权利要求1~8中任一项所述的光掩模基板的修正方法。
10.一种光掩模的制造方法,该方法包括下述工序:
准备利用权利要求9所述的制造方法得到的光掩模基板的工序;以及
通过对所述光掩模基板实施描绘、显影以及蚀刻而形成转印用图案的图案化工序。
11.一种光掩模基板的处理方法,该方法包括下述工序:
准备光掩模基板的工序,该光掩模基板在透明基板的一个主表面上形成有用于形成转印用图案的光学膜;
保持所述光掩模基板的工序;以及
基板处理工序,将原料气体供给至被保持的所述光掩模基板的形成有所述光学膜的第1主表面侧,同时从所述光掩模基板的第2主表面侧对所述第1主表面侧照射激光,并且使进行所述激光的照射和所述原料气体的供给的对象位置相对于所述光掩模基板相对移动,
所述基板处理工序中,控制所述激光的照射和所述原料气体的供给,以使得在所述光学膜存在缺失缺陷时,利用透过了所述缺失缺陷的所述激光使所述原料气体反应,使修正膜堆积在所述第1主表面的所述缺失缺陷的位置。
12.如权利要求11所述的光掩模基板的处理方法,其中,在所述基板处理工序中,在进行所述原料气体的供给和所述激光的照射的同时对所述光掩模基板的整个面进行扫描。
13.一种光掩模基板,其特征在于,
在透明基板的一个主表面形成有用于通过图案化而形成转印用图案的光学膜,
仅在所述光学膜的缺失缺陷的部分形成有通过修正膜材料的填充而成的修正膜。
14.一种光掩模的制造方法,该方法包括下述工序:
准备权利要求13所述的光掩模基板的工序;以及
通过对所述光掩模基板实施描绘、显影以及蚀刻而形成转印用图案的图案化工序。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备