[发明专利]光掩模基板、其修正方法、制造方法和处理方法、光掩模的制造方法以及基板处理装置在审
申请号: | 201910910496.9 | 申请日: | 2019-09-25 |
公开(公告)号: | CN110967924A | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 山口昇 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;G03F1/38 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 孟伟青;褚瑶杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光掩模基板 修正 方法 制造 处理 光掩模 以及 装置 | ||
本发明涉及光掩模基板、其修正方法、制造方法和处理方法、光掩模的制造方法以及基板处理装置,能够不需要时间和工时对光掩模的缺陷修正,由此提高光掩模制造的生产效率和品质。该光掩模基板的修正方法具有:准备光掩模基板(10)的工序,该光掩模基板(10)在透明基板(100)的一个主表面上形成有用于形成转印用图案的光学膜(200);和针对在光学膜(200)中产生的缺失缺陷形成修正膜的修正工序。修正工序中,将原料气体供给至光掩模基板(10)的形成有光学膜(200)的第1主表面中的缺失缺陷的位置附近,同时从光掩模基板(10)的第2主表面侧照射激光,利用透过了缺失缺陷的激光使原料气体发生反应,使修正膜堆积在第1主表面的缺失缺陷的位置。
技术领域
本发明涉及光掩模基板的修正方法、光掩模基板的制造方法、光掩模基板的处理方法、光掩模基板、光掩模的制造方法以及基板处理装置。
背景技术
在光掩模基板的制造中,在光掩模基板上形成转印用图案后,在对该转印用图案进行是否有缺陷的检查并判断有缺陷的情况下,执行对该缺陷进行修正的工序。但是,这样的缺陷的检查以及修正非常需要时间和成本。
作为抑制这样的缺陷的发生的技术,已知有专利文献1中记载的技术。该专利文献1中记载了,即使在上层具有抗反射层的遮光膜的光密度为3.0以上,在抗反射层的成膜中进入的异物也会发生脱落,由此具有在抗反射层中产生针孔、光密度局部降低的问题。在专利文献1中,为了解决该问题,提出了对遮光膜的膜材料和膜厚进行设定以使得除抗反射层以外的遮光部的光密度为3.0以上的技术。
另外,专利文献2中指出,若对在铬膜上产生的针孔等缺陷进行修正,则具有制造成本增高的问题。因此,专利文献2中提出了一种可以省略掩模缺陷修正的光掩模的制造方法。在该制造方法中,对坯体掩模进行缺陷检查,找出在铬膜上存在的针孔缺陷,以缺陷坐标数据的形式记录该位置和尺寸,按照其不与掩模的实际图案坐标数据重合的方式来错开相对坐标位置。通过错开相对位置坐标,可将针孔缺陷与不需要的抗蚀剂一起除去、或者将抗蚀剂图案作为掩模对铬膜的具有针孔的区域进行蚀刻,由此能够得到实质上无针孔缺陷的光掩模。
进而,专利文献3中记载了一种对于在掩模图案上产生的白缺陷进行修正的方法,其通过将导入至处理室内的原料气体利用该白缺陷部附近存在的近场光进行分解、在该白缺陷部形成薄膜而进行修正。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-3152号公报
专利文献2:日本特开平10-186635号公报
专利文献3:日本特开2011-186394号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在进行光掩模的制造时,针对在透明基板上形成了至少1个光学膜的光掩模基板(例如光掩模坯体)应用光刻来形成所期望的图案。
专利文献1的方法具有下述优点:在遮光膜的上层形成抗反射层时,即使由于进入到抗反射层中的异物的脱落而在抗反射层的表面产生凹处,也可得到充分的光密度的遮光膜。但是,与光掩模的光学膜厚小于0.5μm、更代表性地小于0.1μm(若为包含防反射膜的遮光膜,则为左右)的情况相对,成膜中产生的异物的尺寸与后述的产生原因相关,多数远大于光学膜厚,不少情况下也大于1μm。在成膜工序中这样的异物进入到膜中后,在光掩模制造工序或光掩模使用工序中这样的异物会发生脱落。若这样的异物发生脱落,则即使对遮光膜的光密度按专利文献1中所提出进行调整,也不能有效地降低出现缺失缺陷(白缺陷)的风险。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备