[发明专利]功率放大器

权利要求书

1.一种功率放大器，具备：

第1晶体管组，对无线频率信号进行放大并输出，并且由多个单位晶体管并联连接而成；

第2晶体管组，对所述第1晶体管组的输出信号进行放大并输出，并且由多个单位晶体管并联连接而成；

第3晶体管，向所述第1晶体管组的基极供给偏置电流；以及

第1电压供给电路，包括至少一个第1二极管或者第11晶体管，该第1二极管或者第11晶体管的温度越高，向所述第3晶体管的基极供给越低的电压，

所述第3晶体管被配置成在所述第3晶体管与所述第1晶体管组或者所述第2晶体管组之间不夹设有其它电子元件，并且

所述第3晶体管被配置成所述第3晶体管与所述第1晶体管组之间的最小距离比所述第1电压供给电路与所述第1晶体管组之间的最小距离小、或者所述第3晶体管与所述第2晶体管组之间的最小距离比所述第1电压供给电路与所述第2晶体管组之间的最小距离小。

2.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，

所述第3晶体管与所述第1晶体管组或所述第2晶体管组相邻地配置。

3.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，

所述第3晶体管配置在构成所述第1晶体管组的多个单位晶体管之间、或者构成所述第2晶体管组的多个单位晶体管之间。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的功率放大器，其中，

还具备：

第4晶体管，向所述第1晶体管组的基极供给偏置电流；以及

第2电压供给电路，包括至少一个第2二极管或者第21晶体管，该第2二极管或者第21晶体管的温度越高，向所述第4晶体管的基极供给越低的电压，

根据所述功率放大器的动作模式来选择性地仅使所述第3晶体管以及所述第4晶体管中的任意一方向所述第1晶体管组的基极供给偏置电流。

5.根据权利要求4所述的功率放大器，其中，

所述至少一个第2二极管或者第21晶体管被配置成在所述至少一个第2二极管或者第21晶体管与所述第1晶体管组或者所述第2晶体管组之间不夹设有其它电子元件，并且

被配置成所述至少一个第2二极管或者第21晶体管与所述第1晶体管组之间的最小距离比所述第4晶体管与所述第1晶体管组之间的最小距离小、或者所述至少一个第2二极管或者第21晶体管与所述第2晶体管组之间的最小距离比所述第4晶体管与所述第2晶体管组之间的最小距离小。

6.根据权利要求5所述的功率放大器，其中，

所述至少一个第2二极管或者第21晶体管与所述第1晶体管组或者所述第2晶体管组相邻地配置。

7.根据权利要求5所述的功率放大器，其中，

所述至少一个第2二极管或者第21晶体管配置在构成所述第1晶体管组的多个单位晶体管之间、或者构成所述第2晶体管组的多个单位晶体管之间。

8.一种功率放大器，具备：

第1晶体管组，对无线频率信号进行放大并输出；

第2晶体管组，对所述第1晶体管组的输出信号进行放大并输出；

第5晶体管，向所述第2晶体管组的基极供给偏置电流；以及

第3电压供给电路，包括至少一个第3二极管或者第31晶体管，该第3二极管或者第31晶体管的温度越高，向所述第5晶体管的基极供给越低的电压，

所述第5晶体管被配置成在所述第5晶体管与所述第2晶体管组之间不夹设有其它电子元件，并且

所述第5晶体管被配置成所述第5晶体管与所述第2晶体管组之间的最小距离比所述第3电压供给电路与所述第2晶体管组之间的最小距离小。

9.根据权利要求8所述的功率放大器，其中，

所述第5晶体管与所述第2晶体管组相邻地配置。

10.根据权利要求8所述的功率放大器，其中，

所述第5晶体管配置在构成所述第2晶体管组的多个单位晶体管之间。