[发明专利]功率放大器

说明书

本发明提供一种能够减少伴随着输出的上升的增益的降低的功率放大器。功率放大器具备：第1晶体管，对无线频率信号进行放大并输出；第2晶体管；第3晶体管，供给偏置电流；以及第1电压供给电路，第1二极管的温度越高，向第3晶体管的基极供给越低的电压，第3晶体管被配置成在第3晶体管与第1晶体管或者第2晶体管之间不夹设有其它电子元件，并且第3晶体管被配置成第3晶体管与第1晶体管之间的距离比第1电压供给电路与第1晶体管之间的距离小、或者第3晶体管与第2晶体管之间的距离比第1电压供给电路与第2晶体管之间的距离小。

技术领域

本发明涉及功率放大器。

背景技术

在便携式电话等移动体通信器中，为了对向基站发送的无线频率(RF：RadioFrequency)信号的功率进行放大而使用功率放大电路。

例如，在专利文献1中，记载有功率放大电路，该功率放大电路具备驱动级放大器、以及向该驱动级放大器供给偏置电流的偏置电路。偏置电路包括：发射极跟随器电路晶体管，向驱动级放大器供给偏置电流；以及电压供给电路，具有串联连接在电源以及地线之间并且与驱动级放大器热耦合的2个二极管。

电压供给电路所具有的2个二极管对发射极跟随器电路晶体管的基极供给与这2个二极管的温度相应的电压。因此，若环境温度、驱动级放大器的温度上升，则这2个二极管对发射极跟随器电路晶体管的基极施加的电压降低。而且，发射极跟随器电路晶体管对驱动级放大器供给的偏置电流减少。像这样，该功率放大电路具有减小环境温度、驱动级放大器的温度变化的温度补偿功能。

专利文献1：美国专利申请公开第2018/26582号

然而，已知有例如如包络跟踪控制那样，根据功率放大器的输出的大小来控制电源电压的大小的技术。为了进行正常的包络跟踪控制，需要在高输出下越提高电源电压而使增益越增大。然而，一般地，若电源电压升高，则功率附加效率降低而损耗增加，因而由自发热引起的放大级晶体管的温度上升增大。而且，若放大级晶体管的温度过度上升，则放大级的增益降低。在现有技术中，基于此，存在高电源电压的情况与较低电源电压的情况相比，增益为同等以下的问题。

在高输出下因自发热而放大级晶体管的温度上升的情况下，具有上述的温度补偿功能的电路抑制伴随着温度上升的放大级晶体管的集电极电流的增加。若集电极电流的增加被抑制，则伴随着放大级晶体管的温度上升的增益降低变得更加显著，所以增益进一步降低。并且，在将具有上述的温度补偿功能的电路接近放大级晶体管来配置的情况下，存在其集电极电流抑制效果更加增大，因而增益降低的趋势进一步增强的问题。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种能够减少伴随着输出信号的功率的增加的增益的降低的功率放大器。

本发明的一个方式的功率放大器具备：第1晶体管组，对无线频率信号进行放大并输出，并且由多个单位晶体管并联连接而成；第2晶体管组，对第1晶体管组的输出信号进行放大并输出，并且由多个单位晶体管并联连接而成；第3晶体管，向第1晶体管组的基极供给偏置电流；以及第1电压供给电路，包括至少一个第1二极管或者第11晶体管，该第1二极管或者第11晶体管的温度越高，向第3晶体管的基极供给越低的电压，第3晶体管被配置成在第3晶体管与第1晶体管组或者第2晶体管组之间不夹设有其它电子元件，并且第3晶体管被配置成第3晶体管与第1晶体管组之间的最小距离比第1电压供给电路与第1晶体管组之间的最小距离小、或者第3晶体管与第2晶体管组之间的最小距离比第1电压供给电路与第2晶体管组之间的最小距离小。

根据该方式，第3晶体管与第1电压供给电路相比能够较强地与第1晶体管组或者第2晶体管组热耦合，能够减少伴随着输出的上升的增益的降低。

根据本发明，能够提供一种能够减少伴随着输出的上升的增益的降低的功率放大器。

附图说明

图1是表示第1实施方式的功率放大器100A的结构的概要的图。