[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置在审
申请号: | 201910911532.3 | 申请日: | 2019-09-25 |
公开(公告)号: | CN112558800A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 王成龙;方业周;李峰;武新国;朱晓刚;蔚国将 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 尚伟净 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底;
触控焊盘,所述触控焊盘设置在所述衬底的一侧;
第一平坦化层,所述第一平坦化层设置在所述触控焊盘远离所述衬底的一侧;
第一钝化层,所述第一钝化层设置在所述第一平坦化层远离所述触控焊盘的一侧;
触控电极层,所述触控电极层设置在所述第一钝化层远离所述第一平坦化层的一侧,其中,所述触控电极层通过第一过孔和所述触控焊盘电连接,所述第一过孔依次贯穿所述第一平坦化层以及所述第一钝化层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,进一步包括:像素电极层,所述像素电极层设置在所述第一平坦化层和所述第一钝化层之间,所述像素电极层包括多个阵列分布的子像素电极,
所述触控电极层包括多个阵列分布的触控电极,所述触控电极在所述衬底上的正投影和所述子像素电极在所述衬底上的正投影的至多一部分重合。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,进一步包括:
源漏极层,所述源漏极层和所述触控焊盘同层设置;
像素电极层,所述像素电极层设置在所述第一平坦化层和所述第一钝化层之间,所述像素电极层通过第二过孔和所述源漏极层中的源漏焊盘相连,所述第二过孔贯穿所述第一平坦化层。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,进一步包括:
源漏极层,所述源漏极层设置在所述衬底的一侧;
第二平坦化层,所述第二平坦化层设置在所述源漏极层远离所述衬底的一侧;
第二钝化层,所述第二钝化层设置在所述第二平坦化层远离所述源漏极层的一侧;
所述触控焊盘设置在所述第二钝化层远离所述第二平坦化层的一侧。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,进一步包括:像素电极层,所述像素电极层设置在所述第一平坦化层和所述第一钝化层之间,所述像素电极层通过第二过孔和所述源漏极层中的源漏焊盘相连,所述第二过孔依次贯穿所述第二平坦化层、所述第二钝化层以及所述第一平坦化层。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述衬底进一步包括:
基板;
缓冲层,所述缓冲层设置在所述基板的一侧;
有源层,所述有源层设置在所述缓冲层远离所述基板的一侧,所述有源层在所述基板上的正投影覆盖所述基板的部分表面,形成所述有源层的材料包括低温多晶硅;
栅极绝缘层,所述栅极绝缘层设置在所述有源层远离所述缓冲层的一侧;
栅极,所述栅极设置在所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧,且所述栅极在所述基板上的正投影位于所述有源层在所述基板上的正投影区域内;
层间绝缘层,所述层间绝缘层设置在所述栅极远离所述栅极绝缘层的一侧;
所述阵列基板进一步包括:
源漏极层,所述源漏极层设置在所述层间绝缘层远离所述栅极的一侧,所述源漏极层通过第三过孔和所述有源层电连接;
所述触控焊盘和所述源漏极层同层设置,或者所述触控焊盘设置在所述源漏极层远离所述层间绝缘层的一侧。
7.一种制作阵列基板的方法,其特征在于,包括:
提供衬底;
在所述衬底的一侧形成触控焊盘;
在所述触控焊盘远离所述衬底的一侧形成第一平坦化层;
在所述第一平坦化层远离所述触控焊盘的一侧形成第一钝化层;
在所述第一钝化层远离所述第一平坦化层的一侧形成触控电极层,其中,
所述触控电极层通过第一过孔和所述触控焊盘电连接。
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