[发明专利]一种蚀刻片框架、封装支架和LED器件在审
申请号: | 201910911576.6 | 申请日: | 2019-09-25 |
公开(公告)号: | CN110649145A | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 肖国伟;万垂铭;曾照明;侯宇;朱文敏;蓝义安 | 申请(专利权)人: | 广东晶科电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/60;H01L33/48;H01L25/075 |
代理公司: | 44100 广州新诺专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 罗毅萍;李小林 |
地址: | 511458 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 长边 芯片放置 连接层 第二电极 第一电极 边长 蚀刻 顶角 层叠设置 端部齐平 封装支架 金属蚀刻 短边 使用寿命 气密性 侧壁 发光 | ||
1.一种蚀刻片框架,其特征在于,包括:
第一金属蚀刻片,层叠设置有第一电极和芯片放置层,所述芯片放置层包含相互连接的第一放置区和第二放置区,所述第一放置区的长度大于所述第二放置区的长度,所述第一放置区的第一端与所述第二放置区的第一端齐平设置以形成所述芯片放置层的第一长边,所述第一放置区的第二端与所述第二放置区的第二端形成所述芯片放置层的第二边;所述芯片放置层的长边长于所述第一电极的长边,所述芯片放置层的短边长于所述第一电极的短边;
第二金属蚀刻片,层叠设置有第二电极和连接层,所述连接层的长边长于所述第二电极的长边,所述连接层的短边长于所述第二电极的短边;
所述芯片放置层的第一长边与所述第一电极的第一长边的端部齐平,所述连接层的第一长边与所述第二电极的第一长边的端部齐平,使得所述第一电极与所述第二电极之间形成有第一隔离沟槽,所述芯片放置层与所述连接层之间形成有第二隔离沟槽;
所述芯片放置层第一长边的顶角以及所述连接层第一长边的顶角分别设置有一L形连脚,以分别包裹对应顶角的侧壁。
2.如权利要求1所述的蚀刻片框架,其特征在于,每个所述L形连脚的上表面和/或下表面为粗化面。
3.如权利要求1所述的蚀刻片框架,其特征在于,所述第一放置区第二端与所述第二放置区第二端相连接的顶角处为平滑连接。
4.如权利要求1所述的蚀刻片框架,其特征在于,所述连接层的第一边包含与所述放置层第二边相吻合的第三凸部,使得所述第三凸部能放置齐纳二极管。
5.如权利要求1~4中任一项所述的蚀刻片框架,其特征在于,所述第一放置区的第二端设置有第一容纳区,所述第二放置区的第二端设置有第二容纳区,所述第一容纳区和所述第二容纳区相互连接且平行交错设置以共同形成芯片容纳区;
围绕所述芯片容纳区紧挨所述第二隔离沟槽的边之外的其余边设置有第一凹槽,所述第一凹槽用于填充白色EMC材料以形成反光墙。
6.如权利要求5所述的蚀刻片框架,其特征在于,所述第一容纳区包含第一凸部,所述第一凸部位于所述第一容纳区紧挨所述第二隔离沟槽的一端;所述第二容纳区包含第二凸部,所述第二凸部位于所述第二容纳区远离所述第二隔离沟槽的一端。
7.如权利要求6所述的蚀刻片框架,其特征在于,所述第一凹槽包含第一段凹槽和第二段凹槽;所述第一段凹槽围绕于所述第一容纳区的长边、短边及所述第二容纳区的短边,所述第二段凹槽围绕于所述第二容纳区的长边;所述第一段凹槽的第一端与所述第二隔离沟槽贯通,所述第一段凹槽的第二端与所述第二段凹槽的第一端交错设置,且第一段凹槽第二端的外顶角与所述第二段凹槽第一端的内顶角连接;所述第一段凹槽用于填充白色EMC材料以形成第一反光墙,所述第二段凹槽用于填充白色EMC材料以形成第二反光墙。
8.一种封装支架,其特征在于,包括:如权利要求1~4中任一项所述的蚀刻片框架,所述第一隔离沟槽和所述第二隔离沟槽内填充有EMC材料以分别形成第一绝缘沟槽及第二绝缘沟槽,所述蚀刻片框架的四周设置有一反光杯,且所述反光杯的底部包覆所述蚀刻片框架的侧壁且与所述第一电极和所述第二电极的底部齐平。
9.一种封装支架,其特征在于,包括:如权利要求5~7中任一项所述的蚀刻片框架,所述第一隔离沟槽、所述第二隔离沟槽和所述第一凹槽内填充有白色EMC材料以分别形成第一绝缘沟槽、第二绝缘沟槽和所述反光墙,所述第二绝缘沟槽和所述反光墙形成第一反光杯。
10.如权利要求8所述的封装支架,其特征在于,所述蚀刻片框架的四周设置有第二反光杯,且所述第二反光杯的底部包覆所述蚀刻片框架的侧壁且与所述第一电极和所述第二电极的底部齐平。
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