[发明专利]一种蚀刻片框架、封装支架和LED器件

说明书

本发明公开了一种蚀刻片框架、封装支架和LED器件，该蚀刻片框架包括：第一金属蚀刻片，层叠设置有第一电极和芯片放置层，芯片放置层的长边长于第一电极的长边，芯片放置层的短边长于第一电极的短边；第二金属蚀刻片，层叠设置有第二电极和连接层，连接层的长边长于第二电极的长边，连接层的短边长于第二电极的短边；芯片放置层的第一长边与第一电极的第一长边的端部齐平，连接层的第一长边与第二电极的第一长边的端部齐平；芯片放置层第一长边的顶角以及连接层第一长边的顶角分别设置有一L形连脚，以分别包裹对应顶角的侧壁。采用本发明的蚀刻片框架、封装支架和LED器件能够提高LED器件的发光亮度、气密性和使用寿命。

技术领域

本发明涉及LED技术领域，尤其涉及一种蚀刻片框架、封装支架和LED器件。

背景技术

现有的LED技术领域中，用于封装LED芯片的封装支架基本由蚀刻片框架和反光杯组合而成，其中，如图1所示，现有蚀刻片框架通常采用全蚀刻工艺蚀刻成彼此分离的第一电极101和第二电极102，第一电极101和第二电极102之间形成隔离沟槽103，同时，为了使单个蚀刻片框架能够与其相邻的蚀刻片框架进行连接，在蚀刻片框架的第一电极101和第二电极102中远离隔离沟槽103的长边，以及它们全部短边上分别设置有连脚104。

然而，为了避免第一电极101和第二电极102外接时发生短接，通常会将隔离沟槽103的宽度设置得较大，这会占用蚀刻片框架的面积，使得第一电极101上放置LED芯片的放置区较小，只能容纳一个发光面积较小的LED芯片，导致LED器件存在发光亮度低的问题。此外，由于连脚104通常设置在这些边的中部，且其宽度非常小，则蚀刻片框架之间的连接强度小、应力小，这就致使蚀刻片框架的边缘容易在后续工艺中发生形变，导致注塑成型工艺发生偏移，进而降低了采用该蚀刻片框架制成的封装支架和LED器件的气密性，减少了封装支架和LED器件的使用寿命。

发明内容

针对上述问题，本发明的一种蚀刻片框架、封装支架和LED器件，能够有效提升LED器件的发光亮度、气密性和使用寿命。

为解决上述技术问题，本发明的一种蚀刻片框架，包括：

第一金属蚀刻片，层叠设置有第一电极和芯片放置层，所述芯片放置层包含相互连接的第一放置区和第二放置区，所述第一放置区的长度大于所述第二放置区的长度，所述第一放置区的第一端与所述第二放置区的第一端齐平设置以形成所述芯片放置层的第一长边，所述第一放置区的第二端与所述第二放置区的第二端形成所述芯片放置层的第二边；所述芯片放置层的长边长于所述第一电极的长边，所述芯片放置层的短边长于所述第一电极的短边；

第二金属蚀刻片，层叠设置有第二电极和连接层，所述连接层的长边长于所述第二电极的长边，所述连接层的短边长于所述第二电极的短边；

所述芯片放置层的第一长边与所述第一电极的第一长边的端部齐平，所述连接层的第一长边与所述第二电极的第一长边的端部齐平，使得所述第一电极与所述第二电极之间形成有第一隔离沟槽，所述芯片放置层与所述连接层之间形成有第二隔离沟槽；

所述芯片放置层第一长边的顶角以及所述连接层第一长边的顶角分别设置有一L形连脚，以分别包裹对应顶角的侧壁。

作为上述方案的改进，每个所述L形连脚的上表面和/或下表面为粗化面。

作为上述方案的改进，所述第一放置区第二端与所述第二放置区第二端相连接的顶角处为平滑连接。

作为上述方案的改进，所述连接层的第一边包含与所述放置层第二边相吻合的第三凸部，使得所述第三凸部能放置齐纳二极管。

作为上述方案的改进，所述第一放置区的第二端设置有第一容纳区，所述第二放置区的第二端设置有第二容纳区，所述第一容纳区和所述第二容纳区相互连接且平行交错设置以共同形成芯片容纳区；