[发明专利]半导体结构的制造方法

说明书

本申请涉及半导体结构的制造方法。所述方法的一者包含以下操作。接收衬底，且所述衬底包含具有第一导电区域的第一晶体管及具有第二导电区域的第二晶体管，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管具有不同导电类型。对所述第一导电区域执行第一激光退火以修复晶格损坏。对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行非晶化以促进关于后续操作中的所要相变的硅化物形成。在所述非晶化之后使预硅化物层形成于所述衬底上。对所述衬底执行热退火以由所述预硅化物层形成硅化物层。在形成所述预硅化物层之后对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行第二激光退火。

技术领域

本发明实施例涉及半导体结构的制造方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业已经历快速成长。设计及IC材料的技术进步已产生连续IC世代，各代具有比前一代更小及更复杂的电路。复杂及减小的IC结构易受缺陷或物理损坏影响，且IC结构中电组件的电性质的小变化会导致IC结构的低性能。例如，IC结构中源极及漏极的电阻可显著影响IC结构的性能。然而，归因于半导体工艺的高复杂性及影响半导体结构的不同元件及层的相互依存因素，即使工艺的微小变化也很困难。

发明内容

本发明的一实施例涉及一种用于制造半导体结构的方法，其包括：接收包含具有第一导电区域的第一晶体管及具有第二导电区域的第二晶体管的衬底，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管具有不同导电类型；对所述第一导电区域执行第一激光退火；对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行第一非晶化；使预硅化物层形成于所述衬底上；对所述衬底执行热退火以形成硅化物层；及在形成所述预硅化物层之后对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行第二激光退火。

本发明的一实施例涉及一种用于制造半导体结构的方法，其包括：接收包含第一导电区域及第二导电区域的衬底；使第一非晶结构形成于所述第一导电区域中；将物质引入至所述第一非晶结构中；使所述第一非晶结构结晶；使第二非晶结构及第三非晶结构分别形成于所述第一导电区域及所述第二导电区域中；将预硅化物层沉积于所述衬底上；使硅化物层由所述预硅化物层形成；及在沉积所述预硅化物层之后使所述第二非晶结构及所述第三非晶结构结晶。

本发明的一实施例涉及一种用于制造半导体结构的方法，其包括：接收包含具有第一外延区域的第一类型晶体管及具有第二外延区域的第二类型晶体管的衬底；掺杂所述第一外延区域以由此使第一晶格受损结构形成于所述第一外延区域中；执行第一激光退火以将所述第一晶格受损结构转化为第一多晶结构；对所述第一多晶结构及所述第二外延区域执行第一非晶化以由所述第一多晶结构形成第二晶格受损结构及使第三晶格受损结构形成于所述第二外延区域中；形成覆盖所述第一外延区域及所述第二外延区域的预硅化物层；执行热退火；及执行第二激光退火以将所述第二晶格受损区域转化为所述第一外延结构中的第二多晶区域及将所述第三晶格受损区域转化为所述第二外延结构中的第二多晶区域。

附图说明

从结合附图来解读的以下详细描述最佳理解本揭露的实施例的方面。应注意，根据行业标准做法，各种结构未按比例绘制。事实上，为使讨论清楚，可任意增大或减小各种结构的尺寸。

图1是根据本揭露的一些实施例的用于制造半导体结构的方法的流程图。

图2至图11是根据本揭露的一些实施例的各种制造阶段期间的半导体结构的剖面图。

图12是根据本揭露的一些实施例的用于制造半导体结构的方法的流程图。

图13是根据本揭露的一些实施例的用于制造半导体结构的方法的流程图。

图14是根据本揭露的一些实施例的一或多个晶体管的三维图。

具体实施方式