[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法

权利要求书

1.一种形成集成组合件的方法，其包括：

提供结构，所述结构具有半导体材料的第一面板及绝缘的第二面板；所述第一面板及所述第二面板沿着第一方向延伸，且沿着与所述第一方向交叉的第二方向彼此相交替；

形成延伸到所述结构中的沟槽；所述沟槽沿着所述第二方向延伸；所述沟槽使所述结构的上部部分形成为轨道；所述轨道包括所述半导体材料的柱；所述第一面板的所述半导体材料的下部部分位于所述轨道及所述沟槽下方且被配置为在所述沟槽及所述柱下方穿行的半导体材料线路；

在所述沟槽内形成第一材料，所述第一材料具有处于第一水平高度处的上表面；所述轨道的第一区段高于所述第一水平高度；

沿着所述轨道的所述第一区段形成间隔件；

使所述沟槽内的所述第一材料凹陷直到所述上表面处于第二水平高度处为止；所述轨道的第二区段位于所述第一区段与所述第二水平高度之间；及

沿着所述轨道的所述第二区段形成导电材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在沿着所述轨道的所述第二区段形成所述导电材料之前，先沿着所述轨道的所述第二区段形成绝缘材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述使所述沟槽内的所述第一材料凹陷之前，先沿着所述轨道的所述第二区段形成所述绝缘材料。

4.根据权利要求2所述的方法，其中在所述使所述沟槽内的所述第一材料凹陷之后再沿着所述轨道的所述第二区段形成所述绝缘材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括移除所述第一材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料包括二氧化硅，且所述间隔件包括氮化硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其包括：

在形成所述沟槽之前，先在所述第一面板及所述第二面板上方形成保护材料；所述轨道的上部部分包括作为保护顶盖的所述保护材料；

移除所述保护顶盖的至少一些部分以暴露出所述半导体材料的所述柱的上部区；及

将电荷存储装置与所述暴露的上部区耦合。

8.根据权利要求1所述的方法，其包括：

在于所述沟槽内形成所述第一材料之前，先在所述第一面板及所述第二面板上方且沿着所述沟槽的内表面形成涂布材料；

形成所述第一材料以填充所述沟槽且覆盖所述涂布材料；

用平面化工艺从所述涂布材料上方移除所述第一材料；及

相对于所述涂布材料选择性地移除所述第一材料以使所述第一材料的所述上表面凹陷到所述第一水平高度。

9.根据权利要求8所述的方法，其中：

所述涂布材料包括氧化铝、氧化铪、氧化锆、掺碳氮化硅、掺硼氮化硅及掺碳二氧化硅中的一或多者；且

所述第一材料包括二氧化硅。