[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法

说明书

本申请案涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，所述集成组合件具有沿着第一方向延伸的数字线及位于所述数字线上方的轨道。所述轨道包含与中介绝缘区相交替的半导体材料柱。所述轨道具有上部区段、中间区段及下部区段。第一绝缘材料沿着所述轨道的所述上部区段及所述下部区段。第二绝缘材料沿着所述轨道的所述中间区段。所述第二绝缘材料与所述第一绝缘材料在厚度及组成中的一者或两者上有所不同。导电栅极材料沿着所述轨道的所述中间区段，且通过所述第二绝缘材料与所述中间区段间隔开。沟道区位于所述柱的中间区段内，上部源极/漏极区位于所述柱的上部区段内，且下部源极/漏极区位于所述柱的下部区段内。一些实施例包含形成集成组合件的方法。

技术领域

本发明涉及集成组合件，例如动态随机存取存储器组合件；及形成集成组合件的方法。

背景技术

集成电路系统可包含半导体材料的垂直延伸柱。这些柱可布置成阵列。可认为所述阵列包括行及列；其中列与行交叉。

柱可并入到晶体管中。所述晶体管可沿着柱包括导电栅极。导电字线可沿着阵列的行延伸，且可与晶体管的导电栅极电耦合。

晶体管可并入到存储器/存储装置、逻辑装置、传感器及/或任何其它适合的应用中。举例来说，晶体管可与电荷存储装置(例如，电容器)耦合，且借此并入到动态随机存取存储器(DRAM)的存储器单元中。

集成电路制作一直以来的目标是增大集成密度，且相关联的目标是将装置按比例缩减到越来越小的尺寸。期望开发改进的方法来制作上述晶体管，且开发包括这些晶体管的新架构。

发明内容

根据本申请案的一个方面，提供一种形成集成组合件的方法，所述方法包括：提供结构，所述结构具有半导体材料的第一面板及绝缘的第二面板；所述第一面板及所述第二面板沿着第一方向延伸，且沿着与所述第一方向交叉的第二方向彼此相交替；形成延伸到所述结构中的沟槽；所述沟槽沿着所述第二方向延伸；所述沟槽使所述结构的上部部分形成为轨道；所述轨道包括所述半导体材料的柱；所述第一面板的所述半导体材料的下部部分位于所述轨道及所述沟槽下方且被配置为在所述沟槽及所述柱下方穿行的半导体材料线路；在所述沟槽内形成第一材料，所述第一材料具有处于第一水平高度处的上表面；所述轨道的第一区段高于所述第一水平高度；沿着所述轨道的所述第一区段形成间隔件；使所述沟槽内的所述第一材料凹陷直到所述上表面处于第二水平高度处为止；所述轨道的第二区段位于所述第一区段与所述第二水平高度之间；及沿着所述轨道的所述第二区段形成导电材料。

根据本申请案的另一方面，提供一种形成集成组合件的方法，所述方法包括：提供结构，所述结构具有半导体材料的第一面板及绝缘材料的第二面板；所述第一面板及所述第二面板沿着第一方向延伸，且沿着与所述第一方向交叉的第二方向彼此相交替；形成跨越所述结构的上表面延伸的保护材料；形成延伸穿过所述保护材料并进入到所述结构中的沟槽；所述沟槽沿着所述第二方向延伸；所述沟槽使所述保护材料且使所述结构的上部部分形成为轨道；所述轨道包括所述半导体材料的柱；形成在所述轨道上方且沿着所述沟槽的内表面延伸的涂布材料；在所述涂布材料上方且在所述沟槽内形成第一材料；相对于所述涂布材料选择性地蚀刻所述第一材料以使所述第一材料的上表面凹陷到第一水平高度；所述轨道的第一区段高于所述第一水平高度；沿着所述轨道的所述第一区段形成间隔件，所述涂布材料的第一部分位于所述间隔件与所述轨道的所述第一区段之间；相对于所述涂布材料及所述间隔件选择性地蚀刻所述第一材料以使所述沟槽内的所述第一材料凹陷，直到所述上表面处于第二水平高度处为止；所述轨道的第二区段位于所述第一区段与所述第二水平高度之间；所述涂布材料的第二部分覆盖所述轨道的所述第二区段；及在所述沟槽内形成导电材料；所述导电材料给所述轨道的所述第二区段加衬。