[发明专利]交错及拼块堆叠的微装置集成及驱动

权利要求书

1.一种集成微装置的方法，其包括：

在供体基底上提供一或多个微装置；

将来自所述供体衬底的第一微装置集成到系统衬底；

将一或多个分级垫提供到所述供体衬底上的第二微装置；及

将所述第二微装置集成到所述系统衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多个分级垫是下列中的一者：导电层、平坦化层或形成于衬底或微装置表面上的柱。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多个分级垫创建所述微装置与所述系统衬底之间的连接。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括

将集成微装置上方的一或多个平坦化层提供到所述系统衬底。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述平坦化层中创建开口以将所述微装置耦合到信号或所述系统衬底。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括

通过所述平坦化层中的所述开口将电极沉积在所述微装置上方。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括

将结合层添加到所述电极及所述微装置。

8.根据权利要求1所述的方法，其中将反射层提供到每一微装置。

9.根据权利要求1所述的方法，其中使所述第一微装置及所述第二微装置重叠且通过公共电极连接。

10.根据权利要求1所述的方法，其中提供一或多个可编程开关以将所述电极耦合到每一微装置。

11.一种将拼块结构层堆叠到衬底的方法，每一拼块结构层包括多个微装置，所述方法包括：

释放所述衬底上的第一拼块结构层；

在所述衬底上提供第二拼块结构层且使所述第二拼块结构层与所述第一拼块结构层对准；及

将所述衬底上的所述第一拼块结构层及所述第二拼块结构层结合，其中所述第一拼块结构及所述第二拼块结构物理上彼此分离。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二拼块结构层通过对准标记与所述第一拼块结构层对准。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二拼块结构层通过粘合层或结合垫的方式结合到所述第一拼块结构层。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一拼块结构层及第二拼块结构层由平坦化层及金属化层覆盖。

15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括

提供穿过所述平坦化层的通孔以将第一拼块结构层及第二拼块结构层连接在一起或提供将不同拼块结构层连接到所述衬底的连接。

16.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括

提供穿过第一拼块结构层及第二拼块结构层的通孔以将所述拼块层耦合到控制及偏置信号。

17.根据权利要求11所述的方法，其中所述衬底是下列中的一者：临时衬底、系统衬底或背板。

18.根据权利要求11所述的方法，其中所述衬底粘附到底面、顶面或所述拼块层结构之间。

19.根据权利要求11所述的方法，其中所述微装置具有相同或不同颜色。

20.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括

在堆叠所述拼块层结构之前在所述衬底上提供驱动电路。