[发明专利]量子点膜的制备方法及量子点膜和背光模组

权利要求书

1.一种量子点膜的制备方法，包括：

步骤一、提供量子点和高分子材料；

步骤二、使所述高分子材料处于熔融状态后，向至少部分所述高分子材料中混入量子点；

步骤三、挤压所述高分子材料，形成量子点基膜；

步骤四、对所述量子点基膜进行电晕处理；

步骤五、制得量子点膜。

2.根据权利要求1所述的量子点膜的制备方法，所述步骤四中电晕处理的时间为1s～60s。

3.根据权利要求1所述的量子点膜的制备方法，所述步骤四中电晕处理的电压为5000V～15000V。

4.根据权利要求1所述的量子点膜的制备方法，所述步骤三中量子点基膜的厚度为10μm～300μm。

5.根据权利要求1所述的量子点膜的制备方法，所述步骤三中挤压所述高分子材料的方式为多层共挤流延方式，所述高分子材料包括含量子点的高分子材料和无量子点的高分子材料，将含量子点的高分子材料和无量子点的高分子材料共挤，形成量子点基膜。

6.根据权利要求1所述的量子点膜的制备方法，所述步骤三中挤压所述高分子材料的方式为单层挤出流延方式，将含量子点的高分子材料挤出，形成量子点基膜。

7.根据权利要求1所述的量子点膜的制备方法，所述步骤二还包括，向所述高分子材料中混入光扩散粒子和/或烃类添加剂，所述烃类添加剂的沸点高于所述高分子材料的熔点。

8.根据权利要求1所述的量子点膜的制备方法，所述制备方法还包括：

步骤六、在所述量子点膜上设置水氧阻隔层。

9.一种量子点膜，其特征在于，所述量子点膜由上述权利要求1～8所述的制备方法制得。

10.一种背光模组，包括量子点膜，其特征在于，所述量子点膜为上述权利要求9所述的量子点膜。