[发明专利]量子点膜的制备方法及量子点膜和背光模组

说明书

本申请公开了一种量子点膜的制备方法，该方法包括：步骤一、提供量子点和高分子材料；步骤二、使所述高分子材料处于熔融状态后，向至少部分所述高分子材料中混入量子点；步骤三、挤压所述高分子材料，形成量子点基膜；步骤四、对所述量子点基膜进行电晕处理；步骤五、制得量子点膜。本申请在量子点膜的中间制作过程中对量子点基膜进行电晕处理，使得量子点基膜中的量子点与高分子材料重新排列组合，从而提高了量子点膜的发光亮度。

技术领域

本申请涉及荧光纳米材料领域，尤其涉及一种量子点膜的制备方法。

背景技术

量子点具有优异的光学性能，比如发射峰易于调节、半峰宽窄等优点，可以将其应用于显示、照明等领域。量子点材料用于显示时，对色域等方面具有明显的提升。

量子点一般被分散在高分子材料中，再制备成量子点膜使用。现有技术中，量子点膜的发光亮度不是很理想。

为了提高量子点膜的发光亮度，目前一般采用：1)提高量子点的量子产率；2)提高高分子材料(胶水)的透光率；3)提高量子点膜中水氧阻隔层的透光率；4)加入光扩散粒子等方法实现，但上述方法都大大提高了量子点膜的制造成本。

因此，目前急需一种能够提高量子点膜的发光亮度，但又不增大量子点膜生产成本的方法。

发明内容

本申请的目的在于提供一种量子点膜的制备方法，能够提高量子点膜的发光亮度。

本申请的一方面提供了一种量子点膜的制备方法，该方法包括：

步骤一、提供量子点和高分子材料；

步骤二、使所述高分子材料处于熔融状态后，向至少部分所述高分子材料中混入量子点；

步骤三、挤压所述高分子材料，形成量子点基膜；

步骤四、对所述量子点基膜进行电晕处理；

步骤五、制得量子点膜。

可选的，所述步骤四中电晕处理的时间为1s～60s。

可选的，所述步骤四中电晕处理的电压为5000V～15000V。

可选的，所述步骤三中量子点基膜的厚度为10μm～300μm。

可选的，所述步骤三中挤压所述高分子材料的方式为多层共挤流延方式，所述高分子材料包括含量子点的高分子材料和无量子点的高分子材料，将含量子点的高分子材料和无量子点的高分子材料共挤，形成量子点基膜。

可选的，所述步骤三中挤压所述高分子材料的方式为单层挤出流延方式，将含量子点的高分子材料挤出，形成量子点基膜。

可选的，所述步骤二还包括，向所述高分子材料中混入光扩散粒子和/或烃类添加剂，所述烃类添加剂的沸点高于所述高分子材料的熔点。

可选的，所述制备方法还包括：

步骤六、在所述量子点膜上设置水氧阻隔层。

本申请另一方面还提供了一种量子点膜，量子点膜由上述量子点膜的制备方法制得。

本申请另一方面还提供了一种背光模组，背光模组包括量子点膜，量子点膜为上述的量子点膜。

本申请具有如下有益效果：

本申请在量子点膜的中间制作过程中对量子点基膜进行电晕处理，使得量子点基膜中高分子材料的碳氢链和/或碳碳链断裂重组，量子点与高分子材料重新排列组合，从而提高了量子点基膜的发光亮度。另外，对量子点基膜进行电晕处理，还移除了量子点基膜表面的水汽、油污及尘埃等，这同样能够提高量子点膜的发光亮度。并且，对量子点基膜进行电晕处理可以提高量子点基膜表面的粗糙度，便于后续在量子点基膜上设置水氧阻隔层。