[发明专利]提高黑组件良率的PERC电池生产控制方法

权利要求书

1.一种提高黑组件良率的PERC电池生产控制方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)在硅片正面通过管式热氧化方式生长一层SiO₂，厚度为1-3nm，温度600℃-750℃，时间30-60min；

2)采用ALD模式进行单面氧化铝原子沉积，在硅片背面生长一层致密氧化铝，氧化铝厚度2-5nm；

3)在硅片正面进行镀膜，膜层为多层膜，包括底层SiOx层、中间层SiNx层以及顶层SiOx层，所述的多层膜的总膜厚为70-90nm，折射率为1.9-2.1；

4)在硅片背面进行镀膜，膜层为多层膜，包括底层SiOx层、中间层SiNx层以及顶层SiOx层，所述的多层膜总膜厚为100-200nm，折射率为1.9-2.1；

5)进行背面激光开槽，正面丝网印刷烧结、分选，正面丝网印刷网版寿命≤50000次；

7)通过电池片膜色测试分选装置，选取膜厚为70-80nm，正面细栅栅线平均宽度为40-50μm，光电转换效率为22.0％-22.1％的电池片；

8)进行黑背板层压，即得到全黑组件。

2.如权利要求1所述的一种纯黑组件单晶PERC电池制备工艺，其特征在于：所述的步骤3)中，底层SiOx层的折射率为1.4-1.65，厚度为5-30nm；中间层为单层或多层SiNx层，总膜厚为30-70nm，折射率为1.9-2.3；顶层SiOx层的折射率为1.4-1.65，厚度为10-40nm。

3.如权利要求1所述的一种纯黑组件单晶PERC电池制备工艺，其特征在于：所述的步骤4)中，底层SiOx层的折射率为1.4-1.65，厚度为5-25nm；中间层为单层或多层SiNx层，总膜厚为40-80nm，折射率为1.9-2.3；顶层为单层或多层SiNx层，总膜厚为40-80nm，折射率为1.9-2.3。