[发明专利]提高黑组件良率的PERC电池生产控制方法

说明书

本发明涉及一种提高黑组件良率的PERC电池生产控制方法，包括：1)在硅片正面通过管式热氧化方式生长一层SiO₂；2)采用ALD在硅片背面生长一层致密氧化铝；3)在硅片正面进行管式PECVD镀膜；4)在硅片背面进行管式PECVD镀膜；5)进行背面激光开槽，正面丝网印刷烧结、分选，正面丝网印刷网版寿命≤50000次；7)通过电池片膜色测试分选装置，选取膜厚为70‑80nm，正面细栅栅线平均宽度为40‑50μm，光电转换效率为22.0％‑22.1％的电池片；8)进行黑背板层压，即得到全黑组件。本发明提升了黑组件良率，降低了由于黑组件色差导致降级，极大程度的提高客户对黑组件满意度。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种提高黑组件良率的PERC电池生产控制方法。

背景技术

目前市场主流PERC电池片用于白背板层压，但随着对组件外观要求越来越高，需求更改为黑色背板层压的全黑组件，而目前大部分PERC电池均不能满足全黑组件效果，主要原因是背面SiNx膜层绕镀，正面膜层偏蓝等。

虽然通过一系列工艺改进，如，ALD氧化铝单面钝化，正面镀膜和背面镀膜，通过这些工艺优化可增强正面膜色均匀性，降低边缘绕镀情况，黑背板层压后实现纯黑组件效果。但是研究过程中发现，黑组件有轻微发蓝现象，并不是由于膜色导致，而是跟正面电极栅线宽度有很大关系，栅线宽度的粗、细差异，在组件层压后就会显现成颜色差异。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：提供一种提高黑组件良率的PERC电池生产控制方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种提高黑组件良率的PERC 电池生产控制方法，包括以下步骤：

1)在硅片正面通过管式热氧化方式生长一层SiO₂，厚度为1-3nm，温度600℃ -750℃，时间30-60min；

2)采用ALD模式进行单面氧化铝原子沉积，在硅片背面生长一层致密氧化铝，氧化铝厚度2-5nm；

3)在硅片正面进行镀膜，膜层为多层膜，包括底层SiOx层、中间层SiNx 层以及顶层SiOx层，所述的多层膜的总膜厚为70-90nm，折射率为1.9-2.1；

4)在硅片背面进行镀膜，膜层为多层膜，包括底层SiOx层、中间层SiNx 层以及顶层SiOx层，所述的多层膜总膜厚为100-200nm，折射率为1.9-2.1；

5)进行背面激光开槽，正面丝网印刷烧结、分选，正面丝网印刷网版寿命≤50000次；

7)通过电池片膜色测试分选装置，选取膜厚为70-80nm，正面细栅栅线平均宽度为40-50μm，光电转换效率为22.0％-22.1％的电池片；

8)进行黑背板层压，即得到全黑组件。

进一步的说，本发明所述的步骤3)中，底层SiOx层的折射率为1.4-1.65，厚度为5-30nm；中间层为单层或多层SiNx层，总膜厚为30-70nm，折射率为 1.9-2.3；顶层SiOx层的折射率为1.4-1.65，厚度为10-40nm。

再进一步的说，本发明所述的步骤4)中，底层SiOx层的折射率为1.4-1.65，厚度为5-25nm；中间层为单层或多层SiNx层，总膜厚为40-80nm，折射率为 1.9-2.3；顶层为单层或多层SiNx层，总膜厚为40-80nm，折射率为1.9-2.3。