[发明专利]封装后修复方法及封装后修复装置有效

专利信息
申请号: 201910921238.0 申请日: 2019-09-27
公开(公告)号: CN112116946B 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 许庭硕;沈志玮 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: G11C29/44 分类号: G11C29/44
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 浦彩华;姚开丽
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 封装 修复 方法 装置
【说明书】:

发明公开了一种封装后修复方法及封装后修复装置,封装后修复(PPR)方法包含以下步骤:接收第一PPR信号以及第二PPR信号,其中第一PPR信号对应于第一PPR模式,且第二PPR信号对应于第二PPR模式;以及依据第一PPR信号以及第二PPR信号产生第一有效信号以及第二有效信号,其中当第一PPR信号以及第二PPR信号均包含致能信息时,第一有效信号以及第二有效信号中只有一个包含有效信息。当第一有效信号包含有效信息时,第一PPR模式被执行,以及当第二有效信号包含有效信息时,第二PPR模式被执行。本发明所述的封装后修复方法可防止同时接收执行不同操作的指令时产生错误。

技术领域

本发明是有关于一种封装后修复方法及封装后修复装置,且特别是有关于存储器阵列的封装后修复方法以及封装后修复装置。

背景技术

集成电路包含可以用来代替损坏的元件部分的冗余元件部分。例如,一种包含存储器单元的动态随机存取存储器(DRAM)阵列类型的存储器电路。存储器单元按行与列排列。为了储存一些信息,每个行与列都是可寻址的。随着存储器单元的密度增加,在制造过程中故障单元的数量也会增加。为了减少故障单元的影响,冗余存储器单元,或者更确切地说,存储器单元的冗余部分可用于修复阵列的受损部分,其中受损部分包括一个或多个损坏的存储器单元。

一旦识别出集成电路的损坏部分,修复过程包含用冗余资源替换损坏的部分。用冗余资源替换损坏部分的方法包含硬封装后修复(hPPR)和软封装后修复的方法(SPPR)。

软封装后修复(sPPR)是一种快速但暂时修复存储器阵列的列单元的方法,与硬封装后修复(hPPR)相反,后者需要更长时间但永久修复存储器阵列的列单元。封装后修复装置接收命令以执行sPPR操作或hPPR操作。但是,当同时接收执行sPPR操作和执行hPPR操作的两个指令时,可能会引起问题。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种封装后修复(PPR)方法,方法可防止同时接收执行不同操作的指令时产生错误。此方法包含以下步骤:接收第一PPR信号以及第二PPR信号,其中第一PPR信号对应于第一PPR模式,且第二PPR信号对应于第二PPR模式;以及依据第一PPR信号以及第二PPR信号产生第一有效信号以及第二有效信号,其中当第一PPR信号以及第二PPR信号均包含致能信息时,第一有效信号以及第二有效信号中只有一个包含有效信息。当第一有效信号包含有效信息时,第一PPR模式被执行,以及当第二有效信号包含有效信息时,第二PPR模式被执行。

在部分实施例中,还包含接收模式转换信号,其中当第一PPR信号以及第二PPR信号均包含致能信息时,模式转换信号控制第一有效信号及第二有效信号中的哪一个包含有效信息。

在部分实施例中,其中当模式转换信号的数值为第一数值,且第一PPR信号以及第二PPR信号均包含致能信息时,第一有效信号包含有效信息且第二有效信号包含无效信息,其中当模式转换信号的数值为第二数值,且第一PPR信号以及第二PPR信号均包含致能信息时,第一有效信号包含无效信息且第二有效信号包含有效信息。

在部分实施例中,还包含:当第一有效信号包含有效信息时,产生包含致能信息的第一产生信号;以及当第二有效信号包含有效信息时,产生包含致能信息的第二产生信号。

在部分实施例中,其中第一PPR模式为硬封装后修复模式,且第二PPR模式为软封装后修复模式。

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