[发明专利]一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法有效
| 申请号： | 201910922971.4 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110676155B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李厚;贺贤汉;尚散散 | 申请（专利权）人： | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 检测 抛光 硅片 表面 缺陷 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法，其特征在于：具体步骤如下：
步骤一、清洗抛光硅片；
步骤二、暗室下增设一台荧光灯,要求如下：色温与亮度在2000-3000K，紫红色域；荧光灯功率40-50瓦；
步骤三、打开荧光灯与抛光硅片正表面呈50度角，观察硅片正表面浅在缺陷；打开荧光灯与抛光硅片背表面呈50度角，观察硅片背表面浅在缺陷；
步骤四、记录缺陷种类、位置或尺寸。
2.根据权利要求1所述的一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法，其特征在于：步骤二中荧光灯标配接入220V电源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
