[发明专利]一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法

说明书

本发明公开了一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法，采用荧光灯作为灯源，所使用的荧光灯灯源有一定的透射力，与人眼呈45‑60度下的反射光源，可有效的辨识出一些表面浅在的缺陷，从而防止漏检的发生，为客户提供更高质量的抛光硅片；由于荧光灯源为冷色调灯源，所以该光源对人体眼睛几乎没有伤害；在现有的暗室条件下增设荧光灯源即可进行操作，简单培训，即可上岗检测；可谓简单、安全、有效。

技术领域

本发明涉及单晶硅片，具体涉及检测抛光硅片表面浅在缺陷的一种方法，可适用于硅片领域。

背景技术

近年来，IC芯片(Integrated Circuit Chip)向高集成、浅结化、高性能、低功耗的方向迅速发展，随着小型化、高精度化的逐渐普及。整个IC产业对其产品控制技术的要求越来越高。故而对衬底供应商的抛光硅片质量提出达到零缺陷的要求。

在实际最终暗室检查(预清洗后)的过程中，一些表面浅在(500-1000A)深度的缺陷，如暗伤、机械伤、抛光痕迹等缺陷在聚光灯或强光灯下，人眼不易检测，存在一定的漏检风险。聚光灯或强光灯源与人眼在60-90度下直视时，会对人眼造成一定的光源反射伤害。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明提供一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法，采用荧光灯作为灯源，所使用的荧光灯灯源有一定的透射力，与人眼呈45-60度下的反射光源，可有效的辨识出一些表面浅在的缺陷。从而防止漏检的发生，为客户提供更高质量的抛光硅片。由于荧光灯源为冷色调灯源，所以该光源对人体眼睛几乎没有伤害。在现有的暗室条件下增设荧光灯源即可进行操作，简单培训，即可上岗检测。可谓简单、安全、有效。

本发明的技术方案是：一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法，具体步骤如下：

步骤一、清洗抛光硅片；

步骤二、暗室下增设一台荧光灯,要求如下：色温与亮度在2000-3000K，紫红色域；荧光灯功率40-50瓦；

步骤三、打开荧光灯与抛光硅片正表面呈45-60度角，观察硅片正表面浅在缺陷；打开荧光灯与抛光硅片背表面呈45-60度角，观察硅片背表面浅在缺陷；

步骤四、记录缺陷种类、位置、尺寸或长度。

进一步的，步骤一中所述清洗抛光硅片，使用氨水、双氧水和去离子水的混合液配比对抛光硅片进行清洗。

进一步的，步骤二中荧光灯标配接入220V电源。

进一步的，步骤三中，打开荧光灯与抛光硅片正表面呈50度角，观察硅片正表面浅在缺陷。

进一步的，步骤三中，打开荧光灯与抛光硅片背表面呈50度角，观察硅片背表面浅在缺陷。

本发明的有益效果是：

1、本发明所使用的荧光灯灯源有一定的透射力，与人眼呈45-60度下的反射光源，可有效的辨识出一些表面浅在的缺陷，如暗伤、机械伤等，从而防止漏检的发生，提供更高质量的抛光硅片。

2、由于荧光灯源为冷色调灯源，所以该光源对人体眼睛几乎没有伤害，安全保障。

3、在现有的暗室条件下增设荧光灯源即可进行操作，简单培训，即可上岗检测。可谓简单、安全、有效。

附图说明

图1为荧光灯照射下，抛光硅片表面存在抛光痕迹的图片；

图2为荧光灯照射下，抛光硅片表面存在划伤的图片；

图3为荧光灯照射下，抛光硅片表面存在暗伤的图片。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步的说明。

实施例1