[发明专利]操作极紫外光产生装置的方法及极紫外辐射产生装置

说明书

一种操作极紫外光产生装置的方法及极紫外辐射产生装置。本揭露的一实施方式提供一种用于产生极紫外(EUV)辐射的源，此辐射源包括围绕低气压环境的腔室。进气口经配置以在腔室中提供清洗气体。将多个排气口提供至腔室，每个排气口具有对应闸阀，闸阀包括对应于将腔室与EUV扫描器分隔的排气口的扫描器闸阀。压力感测器设置在腔室内部并邻近于扫描器闸阀。控制器经配置以基于压力感测器的输出来控制除扫描器闸阀之外的闸阀。如此一来，用于产生极紫外(EUV)辐射的源将可具有较长的寿命。

技术领域

本揭露的一实施方式有关于产生极紫外(EUV)辐射的装置，以及操作以产生EUV辐射的方法。

背景技术

极紫外(Extreme ultraviolet；EUV)微影正在用以制造具有小于22nm的特征尺寸的半导体元件，以满足集成电路中增大的元件密度的一直存在的需求。

一种产生EUV微影的EUV辐射的方法为通过使用激光产生的电浆(laser producedplasma；LPP)，其中使用激光加热熔融金属(诸如锡)的液滴以产生发射EUV辐射的电浆。因为EUV辐射为电离辐射，故EUV辐射源通常保持在真空下。换言之，将熔融金属液滴引入真空腔室中，在真空腔室中加热熔融金属液滴以产生EUV辐射。由电浆产生的EUV辐射由收集器镜来收集并聚焦在其他光学元件上，EUV辐射从此光学元件被引导至微影工具。

发明内容

本揭露的一实施方式有关于一种操作极紫外(EUV)光产生装置的方法。其中EUV光产生装置包括容器，容器具有进气口、待连接至扫描器的界面口、设置在界面口处的闸阀以及排气口。操作极紫外(EUV)光产生装置的方法包括产生EUV光，同时从进气口供应气体并从排气口排出气体。停止EUV光产生。在停止EUV光产生之后，增大从排气口排出的排气的流速。在增大流速之后，关闭闸阀。

本揭露的一实施方式有关于一种操作极紫外(EUV)光产生装置的方法。其中EUV光产生装置包括容器，容器具有进气口、待连接至扫描器的界面口、设置在界面口处的闸阀以及排气口。操作极紫外(EUV)光产生装置的方法包括产生EUV光，同时从进气口供应气体并从排气口排出气体。停止EUV光产生。在停止EUV光产生之后，监测邻近于扫描器闸阀的压力紊流。在判定压力紊流大于阈值之后，增大从排气口排出的排气的流速。

本揭露的一实施方式有关于一种极紫外(EUV)辐射产生装置，包括腔室、收集器镜、EUV容器以及控制器。EUV容器设置在腔室中。其中EUV容器包括进气口、界面口以及闸阀。进气口经配置以将清洗气体提供进EUV容器中。界面口待连接至一扫描器。闸阀设置在界面口处及一排气口。控制器经配置以控制闸阀以抑制从闸阀朝向收集器镜的气流。

附图说明

当结合附图阅读时，根据以下详细描述可更好地理解本揭露的一实施方式。应强调，根据工业标准实践，各种特征未按比例绘制并且仅用作说明目的。事实上，为论述清楚起见，各特征的尺寸可任意地增大或缩小。

图1为根据本揭露的一实施方式的一些实施例构造的具有激光产生电浆(LPP)EUV辐射源的EUV微影系统的示意图；

图2A为根据本揭露的一实施方式的一些实施例的用于EUV辐射源中的碎屑收集机构的示意前视图；图2B为根据本揭露的一实施方式的一些实施例的用于EUV辐射源中的碎屑收集机构的示意侧视图；图2C为根据本揭露的一实施方式的一些实施例的用于EUV辐射源中的叶片的部分视图；

图3示意地绘示根据实施例的EUV源的排气流；

图4示意地绘示根据各实施例的碎屑排出控制组件的布局；

图5A及图5B示意地绘示根据一些实施例的EUV源的EUV容器中的排气流；

图6绘示图表示出排气流速相对于时间的变化的一图表；