[发明专利]一种可弯曲显示面板的设计方法及可弯曲显示面板

权利要求书

1.一种可弯曲显示面板的设计方法，其特征在于，所述可弯曲显示面板包括可弯曲区域和不可弯曲区域，所述可弯曲区域包括多个第一子像素，所述不可弯曲区域包括多个第二子像素，所述方法包括：

获取参考显示面板的可弯曲区域在弯曲时的每个第三子像素的第一电流值以及所述参考显示面板的不可弯曲区域的第四子像素的第二电流值；所述第三子像素与所述第一子像素一一对应，所述第四子像素与所述第二子像素一一对应，且所述第三子像素和所述第四子像素对应的薄膜晶体管在制作时的沟道宽长比相等；

根据所述第一电流值和所述第二电流值，确定所述每个第三子像素对应的薄膜晶体管的沟道宽长比变化量；

根据所述沟道宽长比变化量，分别确定每个第一子像素对应的薄膜晶体管的目标沟道宽长比，以根据所述目标沟道宽长比分别制作所述可弯曲区域的每个第一子像素对应的薄膜晶体管；

所述根据所述第一电流值和所述第二电流值，确定所述每个第三子像素对应的薄膜晶体管的沟道宽长比变化量的步骤，包括：

将所述第一电流值减去所述第二电流值，得到电流差值；

将所述电流差值除以设定参数，得到所述每个第三子像素对应的薄膜晶体管的沟道宽长比变化量；

其中，所述设定参数为所述薄膜晶体管的栅源电压与阈值电压的差值的平方值，再与所述薄膜晶体管的特性参数的乘积；

所述将所述电流差值除以设定参数，得到所述每个第三子像素对应的薄膜晶体管的沟道宽长比变化量，包括：

确定与所述电流差值对应的电流阶梯；

将所述电流阶梯除以设定参数，得到所述每个第三子像素对应的薄膜晶体管的沟道宽长比变化量。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述沟道宽长比变化量，分别确定每个第一子像素对应的薄膜晶体管的目标沟道宽长比的步骤，包括：

将所述薄膜晶体管的初始沟道宽长比减去所述沟道宽长比变化量，得到每个第一子像素对应的薄膜晶体管的目标沟道宽长比。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述根据所述沟道宽长比变化量，分别确定每个第一子像素对应的薄膜晶体管的目标沟道宽长比的步骤之后，还包括：

根据所述目标沟道宽长比分别确定所述每个第一子像素对应的薄膜晶体管的沟道长度和沟道宽度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述可弯曲区域在弯曲时的第三子像素对应的薄膜晶体管所受应力的应力方向与所述第三子像素对应的薄膜晶体管的沟道方向平行时，所述沟道宽长比变化量为负值。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述可弯曲区域在弯曲时的第三子像素对应的薄膜晶体管所受应力的应力方向与所述第三子像素对应的薄膜晶体管的沟道方向垂直时，所述沟道宽长比变化量为正值。

6.一种可弯曲显示面板，其特征在于，采用如权利要求1至5中任一项所述的可弯曲显示面板的设计方法制作而成，且在所述可弯曲区域弯曲前，所述第一子像素和所述第二子像素对应的薄膜晶体管的沟道宽长比不相等。

7.根据权利要求6所述的可弯曲显示面板，其特征在于，在所述可弯曲区域弯曲前，当所述可弯曲区域的第一子像素对应的薄膜晶体管待受应力的应力方向与所述第一子像素对应的薄膜晶体管的沟道方向平行时，所述第一子像素对应的薄膜晶体管的沟道宽长比大于所述第二子像素对应的薄膜晶体管的沟道宽长比。

8.根据权利要求6所述的可弯曲显示面板，其特征在于，在所述可弯曲区域弯曲前，当所述可弯曲区域的第一子像素对应的薄膜晶体管待受应力的应力方向与所述第一子像素对应的薄膜晶体管的沟道方向垂直时，所述第一子像素对应的薄膜晶体管的沟道宽长比小于所述第二子像素对应的薄膜晶体管的沟道宽长比。

9.一种计算机设备，其特征在于，包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至5中任一项所述的可弯曲显示面板的设计方法的步骤。