[发明专利]一种可弯曲显示面板的设计方法及可弯曲显示面板有效
申请号: | 201910926523.1 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN110634932B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 张慧娟;张浩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;G09F9/30 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 弯曲 显示 面板 设计 方法 | ||
本发明提供了一种可弯曲显示面板的设计方法及可弯曲显示面板,涉及显示技术领域。本发明通过获取参考显示面板的可弯曲区域的每个第三子像素的第一电流值以及参考显示面板的不可弯曲区域的第四子像素的第二电流值,根据第一电流值和第二电流值,确定每个第三子像素对应的薄膜晶体管的沟道宽长比变化量,根据沟道宽长比变化量,分别确定每个第一子像素对应的薄膜晶体管的目标沟道宽长比,以根据目标沟道宽长比分别制作可弯曲区域的每个第一子像素对应的薄膜晶体管。通过沟道宽长比的调节补偿可弯曲区域的亮度,使得可弯曲显示面板在弯曲显示时,可弯曲区域的亮度与不可弯曲区域的亮度更加均匀。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种可弯曲显示面板的设计方法及可弯曲显示面板。
背景技术
随着显示技术的不断发展,可弯曲显示面板由于其具有可弯曲、轻薄和便于携带等特性,具有非常广泛的应用前景和市场潜力。
目前,可弯曲显示面板通常包括可弯曲区域和不可弯曲区域,当可弯曲区域处于弯曲状态时,可弯曲区域内的薄膜晶体管会受到应力作用而发生形变,导致可弯曲显示面板在弯曲显示时,可弯曲区域的亮度与不可弯曲区域的亮度不一致,影响可弯曲显示面板的显示效果。
发明内容
本发明提供一种可弯曲显示面板的设计方法及可弯曲显示面板,以解决现有的可弯曲显示面板在弯曲显示时,可弯曲区域的亮度与不可弯曲区域的亮度不一致,影响可弯曲显示面板的显示效果的问题。
为了解决上述问题,本发明公开了一种可弯曲显示面板的设计方法,所述可弯曲显示面板包括可弯曲区域和不可弯曲区域,所述可弯曲区域包括多个第一子像素,所述不可弯曲区域包括多个第二子像素,所述方法包括:
获取参考显示面板的可弯曲区域在弯曲时的每个第三子像素的第一电流值以及所述参考显示面板的不可弯曲区域的第四子像素的第二电流值;所述第三子像素与所述第一子像素一一对应,所述第四子像素与所述第二子像素一一对应,且所述第三子像素和所述第四子像素对应的薄膜晶体管在制作时的沟道宽长比相等;
根据所述第一电流值和所述第二电流值,确定所述每个第三子像素对应的薄膜晶体管的沟道宽长比变化量;
根据所述沟道宽长比变化量,分别确定每个第一子像素对应的薄膜晶体管的目标沟道宽长比,以根据所述目标沟道宽长比分别制作所述可弯曲区域的每个第一子像素对应的薄膜晶体管。
可选的,所述根据所述第一电流值和所述第二电流值,确定所述每个第三子像素对应的薄膜晶体管的沟道宽长比变化量的步骤,包括:
将所述第一电流值减去所述第二电流值,得到电流差值;
将所述电流差值除以设定参数,得到所述每个第三子像素对应的薄膜晶体管的沟道宽长比变化量;
其中,所述设定参数为所述薄膜晶体管的栅源电压与阈值电压的差值的平方值,再与所述薄膜晶体管的特性参数的乘积。
可选的,所述根据所述沟道宽长比变化量,分别确定每个第一子像素对应的薄膜晶体管的目标沟道宽长比的步骤,包括:
将所述薄膜晶体管的初始沟道宽长比减去所述沟道宽长比变化量,得到每个第一子像素对应的薄膜晶体管的目标沟道宽长比。
可选的,在所述根据所述沟道宽长比变化量,分别确定每个第一子像素对应的薄膜晶体管的目标沟道宽长比的步骤之后,还包括:
根据所述目标沟道宽长比分别确定所述每个第一子像素对应的薄膜晶体管的沟道长度和沟道宽度。
可选的,当所述可弯曲区域在弯曲时的第三子像素对应的薄膜晶体管所受应力的应力方向与所述第三子像素对应的薄膜晶体管的沟道方向平行时,所述沟道宽长比变化量为负值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的