[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

半导体衬底，其具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；

在半导体衬底中的光电转换层；

在半导体衬底的第一表面上的晶体管；

在晶体管上的第一层间绝缘层；

在第一层间绝缘层上的第一下焊盘电极和第二下焊盘电极，该第二下焊盘电极与第一下焊盘电极间隔开；

在第一下焊盘电极和第二下焊盘电极上的模制绝缘层；

在模制绝缘层中的第一下电极和第二下电极，第一下电极在第一下焊盘电极上并且第二下电极在第二下焊盘电极上；

在第一下电极和第二下电极上的介电层；

在介电层上的上电极；以及

连接到上电极的上焊盘电极。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，上焊盘电极包括与第一下焊盘电极和第二下焊盘电极不同的导电材料，并且上焊盘电极包括与上电极不同的导电材料。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，上焊盘电极包括掺杂半导体材料。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，上焊盘电极比第一下焊盘电极和第二下焊盘电极中的每一个厚。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

在模制绝缘层上以及在上焊盘电极上的第二层间绝缘层；

延伸穿过第二层间绝缘层并连接到上焊盘电极的多个上接触插塞；以及

延伸穿过第二层间绝缘层和模制绝缘层并连接到第一下焊盘电极的下接触插塞；

其中，所述多个上接触插塞包括与下接触插塞相同的第一金属材料。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，还包括：在第二层间绝缘层上的多条导线，

其中，所述多条导线连接到晶体管、所述多个上接触插塞和下接触插塞，并且包括具有小于第一金属材料的电阻率的电阻率的第二金属材料。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第一下电极和第二下电极中的每一个包括用于限定空白空间的底部部分和侧壁部分，侧壁部分从底部部分开始延伸，并且

其中，介电层和上电极沿着第一下电极和第二下电极的内表面延伸。

8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，上焊盘电极接触上电极在模制绝缘层上的部分。

9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第一下电极和第二下电极中的每一个具有柱形状，并且

其中，介电层和上电极沿着第一下电极和第二下电极的外表面延伸。

10.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第一下电极按照之字形图案布置在第一下焊盘电极上，并且

其中，第二下电极按照之字形图案布置在第二下焊盘电极上。

11.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，在平面图中，第一下焊盘电极和第二下焊盘电极与光电转换层重叠。

12.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第一下焊盘电极和第二下焊盘电极之一连接到晶体管。

13.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

在半导体衬底中的像素分隔结构，该像素分隔结构限定像素区域；以及

在像素区域中的半导体衬底中的隔离结构，该隔离结构限定光接收区域和光阻挡区域，

其中，光电转换层在光接收区域中。

14.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

在半导体衬底的第二表面上的微透镜；以及

在微透镜和半导体衬底之间的滤光器。