[发明专利]图像传感器

说明书

一种图像传感器包括：半导体衬底，其具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；在半导体衬底中的光电转换层；在半导体衬底的第一表面上的晶体管；在晶体管上的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上的第一下焊盘电极和第二下焊盘电极，该第二下焊盘电极与第一下焊盘电极间隔开；在第一下焊盘电极和第二下焊盘电极上的模制绝缘层；在模制绝缘层中的第一下电极和第二下电极；在第一下电极和第二下电极上的介电层；在介电层上的上电极；以及连接到上电极并包括不同于第一下焊盘电极和第二下焊盘电极的导电材料的上焊盘电极。第一下电极在第一下焊盘电极上，并且第二下电极在第二下焊盘电极上。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年10月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0118218的优先权，该申请的公开内容整体以引用方式全部并入本文中。

技术领域

本公开的示例实施例涉及图像传感器，更具体地，涉及一种能够在全局快门模式下操作的图像传感器。

背景技术

图像传感器是用于将光学图像转换为电信号的半导体器件。随着计算机和通信行业的发展，在诸如数字相机、摄像机、个人通信系统(PCS)、游戏装置、安全相机和/或医疗微型相机的各种装置中对高性能图像传感器存在相当强的需求。已开发了用于实现三维图像以及彩色图像的图像传感器。

发明内容

根据本发明构思的示例实施例，一种图像传感器可包括：半导体衬底，其具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；在半导体衬底中的光电转换层；在半导体衬底的第一表面上的晶体管；在晶体管上的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上的第一下焊盘电极和第二下焊盘电极，第二下焊盘电极与第一下焊盘电极间隔开；在第一下焊盘电极和第二下焊盘电极上的模制绝缘层；在模制绝缘层中的第一下电极和第二下电极；在第一下电极和第二下电极上的介电层；在介电层上的上电极；以及连接到上电极的上焊盘电极。第一下电极可在第一下焊盘电极上。第二下电极可在第二下焊盘电极上。上焊盘电极可包括不同于第一下焊盘电极和第二下焊盘电极的导电材料。

根据本发明构思的示例实施例，一种图像传感器可包括：半导体衬底，其具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；在半导体衬底中的光电转换层；在半导体衬底的第一表面上的晶体管；在晶体管上的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上并连接到晶体管的包括第一金属材料的第一布线；在第一布线上的模制绝缘层；在模制绝缘层中并连接到晶体管的电容器；在电容器上的第二层间绝缘层；以及在第二层间绝缘层上并连接到第一布线和电容器的包括第二金属材料的第二布线。第二布线的第二金属材料可具有小于第一布线的第一金属材料的电阻率。

根据本发明构思的示例实施例，一种图像传感器可包括：半导体衬底，其具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；在半导体衬底中并限定多个像素区域的像素分隔结构；在所述多个像素区域中的每一个中的半导体衬底中的光电转换层；在半导体衬底的第一表面上的晶体管；在晶体管上的第一层间绝缘层；以及在第一层间绝缘层上并与所述多个像素区域中的每一个中的光电转换层重叠的第一电容器和第二电容器。

附图说明

图1是根据本发明构思的一些实施例的图像处理装置的框图。

图2是根据本发明构思的一些实施例的图像传感器的框图。

图3是根据本发明构思的一些实施例的图像传感器的像素阵列的示意性框图。

图4A、图4B和图4C是示出根据本发明构思的一些实施例的像素阵列的单元像素的电路图。

图5是根据本发明构思的一些实施例的图像传感器的平面图。

图6A和图6B是分别沿图5的线I-I’和II-II’截取的横截面图，其示出根据本发明构思的一些实施例的图像传感器。

图7是图6A的部分A的放大图。