[发明专利]一种玻封电压调整二极管、管芯及其制造方法在审
申请号: | 201910927602.4 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN110911499A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 刘学明;王华;赵昕;张文敏 | 申请(专利权)人: | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L23/31;H01L23/29;H01L29/45;H01L29/06;H01L21/56;H01L21/28;H01L21/329;H01L21/60 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 徐晓艳 |
地址: | 100076 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电压 调整 二极管 管芯 及其 制造 方法 | ||
1.一种玻封电压调整二极管管芯,其特征在于包括硅片(1)和钝化保护层(2)、第一电极和第二电极,硅片(1)的正面周边有弧形缺口,在中央形成岛区,第一电极附着在硅片(1)正面中央岛区上,第二电极附着在硅片(1)的背面,钝化保护层(2)避开第一电极附着在硅片(1)的弧形缺口处,所述钝化保护层(2)为三层复合结构,从硅片(1)向外依次为第一二氧化硅层、PSG层和第二二氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的一种玻封电压调整二极管管芯,其特征在于所述第一二氧化硅层的厚度为PSG层的厚度为第一二氧化硅层
3.根据权利要求1所述的一种玻封电压调整二极管管芯,其特征在于所述第一电极与第二电极结构相同,从内到外依次为金属钛层(3)、金属镍层(4)和金属银层(5)。
4.根据权利要求1所述的一种玻封电压调整二极管管芯,其特征在于所述金属钛层(3)的厚度为金属镍层(4)的厚度为金属银层(5)的厚度为
5.一种玻封电压调整二极管管芯的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
(s1-1)、将硅片(1)依次进行扩散和深结扩散推进,在硅片(1)正面形成具有一定结深的PN结;
(s1-2)、在硅片(1)的正面周边进行湿法腐蚀处理,产生弧形缺口,形成用于附着第一电极的中央岛区;
(s1-3)、对硅片正面进行钝化处理,依次淀积第一二氧化硅层、PSG层、第二二氧化硅层,形成钝化保护层(2);
(s1-4)、对硅片正面的中央岛区内钝化保护层(2)进行光刻开孔,预留出用于附着第一电极的区域;
(s1-5)、在刻蚀后的用于附着第一电极的区域依次淀积金属钛层(3)、金属镍层(4)和金属银层(5),形成第一电极;
(s1-6)、在管芯背面依次淀积金属钛层(6)、金属镍层(7)和金属银层(8),形成第二电极。
6.一种玻封电压调整二极管,其特征在于包括权利要求1所述的管芯(9)、第一钨柱(10)、第二钨柱(13)、玻璃外罩(16)、第一引线端(12)、第一引线端(15),其中:
管芯(9)的第一电极与第一钨柱(10)熔接在一起;第一钨柱(10)通过焊片与第一引线端(12)焊接在一起;
管芯(9)的第二电极与第二钨柱(13))熔接在一起;第一钨柱(10)通过焊片与第二引线端(15)焊接在一起;
玻璃外罩(16)封装在第一钨柱(10)、第二钨柱(13)外侧,用于保护管芯(9)。
7.根据权利要求6所述的一种玻封电压调整二极管,其特征在于当管芯硅片(1)为N型硅片时,第一引线端(12)作为二极管的阴极,第二引线端(15)作为二极管的阳极;当管芯硅片(1)为P型硅片时,第一引线端(12)作为二极管的阳极,第二引线端(15)作为二极管的阴极。
8.根据权利要求6所述玻封电压调整二极管的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
(s2-1)、获取第一钨柱(10)和第二钨柱(13),并对第一钨柱(10)和第二钨柱(13)表面进行金属化处理,具体金属化处理步骤为:在第一钨柱(10)和第二钨柱(13)正面和背面由内至外依次溅射金属钛层(3)、金属镍层(4)和金属银层(5);
(s2-2)、将第二钨柱(13)、管芯(9)、第一钨柱(10)依次叠加在一起,放入高温炉中,将炉温升至预设熔接温度,保温一段时间,将管芯第一电极与第一钨柱(10)、管芯的第二电极与第二钨柱(13)的直接熔接在一起;管芯第一电极与第一钨柱(10)的背面接触,管芯的第二电极与第二钨柱(13)的正面接触;
(s2-3)、采用玻璃外罩(16)密封封装在第一钨柱(10)、第二钨柱(13)外侧,用于保护管芯(9);
(s2-4)、将第一引线端通过焊片焊接在第一钨柱(10)正面;第一引线端通过焊片焊接在第二钨柱(13)背面,形成完整的玻封电压调整二极管器件。
9.根据权利要求8所述玻封电压调整二极管的制备方法,其特征在于所述预设熔接温度800℃~860℃。
10.根据权利要求8所述玻封电压调整二极管的制备方法,其特征在于所述一段时间控制在5~8min。
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