[发明专利]一种玻封电压调整二极管、管芯及其制造方法在审
申请号: | 201910927602.4 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN110911499A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 刘学明;王华;赵昕;张文敏 | 申请(专利权)人: | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L23/31;H01L23/29;H01L29/45;H01L29/06;H01L21/56;H01L21/28;H01L21/329;H01L21/60 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 徐晓艳 |
地址: | 100076 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电压 调整 二极管 管芯 及其 制造 方法 | ||
本发明涉及一种玻封电压调整二极管、管芯及其制造方法。管芯包括硅片和钝化保护层、第一电极和第二电极,硅片的正面周边有弧形缺口,在中央形成岛区,第一电极附着在硅片正面中央岛区上,第二电极附着在硅片的背面,钝化保护层避开第一电极附着在硅片的弧形缺口处,所述钝化保护层为三层复合结构,从硅片向外依次为第一二氧化硅层、PSG层和第二二氧化硅层。二极管在管芯的基础上还包括第一钨柱、第二钨柱、玻璃外罩、第一引线端、第二引线端,第一钨柱、第二钨柱分别与第一电极、第二电极熔接,第一引线端、第一引线端分别与第一钨柱、第二钨柱焊接;玻璃外罩封装在第一钨柱、第二钨柱外侧,用于保护管芯。本发明二极管热阻低、可靠性高。
技术领域
本发明涉及一种玻封电压调整二极管及制造方法,属于半导体器件领域。
背景技术
电压调整二极管由于具有稳定电压精度高、漏电流小、高可靠、长寿命等特点,能够有效调节电路中的电压,解决电压过大造成击穿的问题。电压调整二极管主要应用于开关电源、变频器、驱动器等电路中,是电子电路中最重要的电子元器件之一,已广泛服务于各种民用和军用电子领域,特别是在航天、航空和武器装备等领域的应用中,对其可靠性的要求也变得越来越高。
现代电子应用装置对电压调整二极管性能的要求除调整电压精度高、寄生电容、稳态功耗低之外,还要求器件不会在复杂环境中出现漏电等异常现象,进而影响正常工作,而现有电压调整二极管缺乏应对复杂环境的能力。
复合钝化层和玻封管壳是保证电压调整二极管稳定性的关键。传统的电压调整二极管没有复合钝化层的保护,在大电流环境下容易出现击穿漏电导致器件损坏;并且管芯与玻璃管壳的热膨胀系数存在差异,也会导致封装后的器件在恶劣环境下开裂引起失效。为了满足电路中对稳定电压的调整,亟待提供一种玻封电压调整二极管对电路进行限压保护。
发明内容
本发明的技术解决问题是:克服现有技术的不足,提供一种玻封电压调整二极管、管芯及其制造方法,减小二极管的漏电流,使得该电压调整二极管能够在复杂环境中正常工作,不影响电路的稳定运行。
本发明的技术解决方案是:一种玻封电压调整二极管管芯,该管芯包括硅片和钝化保护层、第一电极和第二电极,硅片的正面周边有弧形缺口,在中央形成岛区,第一电极附着在硅片正面中央岛区上,第二电极附着在硅片的背面,钝化保护层避开第一电极附着在硅片的弧形缺口处,所述钝化保护层为三层复合结构,从硅片向外依次为第一二氧化硅层、PSG层和第二二氧化硅层。
所述第一二氧化硅层的厚度为PSG层的厚度为第一二氧化硅层
所述第一电极与第二电极结构相同,从内到外依次为金属钛层、金属镍层和金属银层。
所述金属钛层的厚度为金属镍层的厚度为金属银层的厚度为
上玻封电压调整二极管管芯的制备方法,该方法包括如下步骤:
(s1-1)、将硅片依次进行扩散和深结扩散推进,在硅片正面形成具有一定结深的PN结;
(s1-2)、在硅片的正面周边进行湿法腐蚀处理,产生弧形缺口,形成用于附着第一电极的中央岛区;
(s1-3)、对硅片正面进行钝化处理,依次淀积第一二氧化硅层、PSG层、第二二氧化硅层,形成钝化保护层;
(s1-4)、对硅片正面的中央岛区内钝化保护层进行光刻开孔,预留出用于附着第一电极的区域;
(s1-5)、在刻蚀后的用于附着第一电极的区域依次淀积金属钛层、金属镍层和金属银层,形成第一电极;
(s1-6)、在管芯背面依次淀积金属钛层、金属镍层和金属银层,形成第二电极。
一种玻封电压调整二极管,该二极管管芯、第一钨柱、第二钨柱、玻璃外罩、第一引线端、第一引线端,其中:
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