[发明专利]一种拉晶炉有效
申请号: | 201910933783.1 | 申请日: | 2019-09-29 |
公开(公告)号: | CN110552054B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 全弘湧 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 拉晶炉 | ||
本发明提供一种拉晶炉,包括:炉体,炉体内限定有腔室,炉体上设有与腔室连通的拉晶口;坩埚,坩埚设在腔室中以盛放硅材料;隔热件,隔热件沿炉体内壁设置;闸阀,闸阀设在炉体上以打开或封闭拉晶口;保温结构,保温结构设在闸阀上以阻挡热量从拉晶口散失。根据本发明实施例的拉晶炉,在多晶硅熔融过程中,通过闸阀封闭拉晶炉的拉晶口,防止多晶硅中的挥发性组分挥发,闸阀上的保温结构能够减少热量从拉晶口散失,使熔融时间减少,加快熔融速度,同时,减少对石英坩埚造成损伤,避免影响锭的生产。
技术领域
本发明涉及多晶硅领域,具体涉及一种拉晶炉。
背景技术
生产硅单晶锭时,在石英坩埚内填充多晶硅,并熔融多晶硅,使熔融液温度稳定化,使籽晶与熔融液接触来使单晶锭生长。在多晶硅熔融过程中,腔室的侧面和下部因有隔热件,热损失较少,拉晶炉的上部腔室起到供锭生长的通道作用,熔融工程在腔室上部被开放的状态下实施多晶硅熔融,因而发生热损失,使熔融时间增加,熔融时间越增加,生产量越减少,对石英坩埚易造成损伤而影响锭的生产。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种拉晶炉,用以解决在多晶硅熔融过程中,拉晶炉的上部腔室被开放的状态下实施多晶硅熔融,发生热损失,熔融时间增加,对石英坩埚易造成损伤而影响锭的生产的问题。
为解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案:
根据本发明实施例的拉晶炉,包括:
炉体,所述炉体内限定有腔室,所述炉体上设有与所述腔室连通的拉晶口;
坩埚,所述坩埚设在所述腔室中以盛放硅材料;
隔热件,所述隔热件沿所述炉体内壁设置;
闸阀,所述闸阀设在所述炉体上以打开或封闭所述拉晶口;
保温结构,所述保温结构设在所述闸阀上以阻挡热量从所述拉晶口散失。
其中,所述炉体上设有炉管结构,所述炉管结构内限定有与所述拉晶口连通的管腔,所述闸阀可活动地设在所述炉管结构上以导通或封闭所述管腔。
其中,所述管腔为圆柱状,所述管腔的轴线与所述拉晶口的轴线共线。
其中,所述炉管结构上限定有与所述管腔连通的容纳腔,所述闸阀在第一位置和第二位置之间可活动,当所述闸阀位于所述第一位置时,所述闸阀封闭所述管腔,当所述闸阀位于所述第二位置时,所述闸阀位于所述容纳腔中且导通所述管腔。
其中,所述管腔为圆柱状,所述闸阀可在所述第一位置和所述第二位置之间绕第一轴线枢转活动,所述第一轴线与所述管腔的轴线平行。
其中,所述管腔为圆柱状,所述闸阀可在所述第一位置和所述第二位置之间绕第二轴线翻转,所述第二轴线与所述管腔的轴线垂直。
其中,所述闸阀和所述保温结构平行设置,所述闸阀和所述保温结构之间的间距可调节。
其中,所述炉体的内壁上设有挡板,所述挡板位于所述坩埚的上方,所述挡板上与所述拉晶口对应的位置设有通孔。
其中,还包括:
加热结构,所述加热结构设在所述腔室中且位于所述坩埚与所述隔热件之间。
其中,还包括:
支架,所述支架设在所述腔室中,所述坩埚设在所述支架上。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
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