[发明专利]切割芯片接合薄膜

说明书

本发明提供一种在冷扩展时及常温扩展时、以及其之后在粘接剂层与粘合剂层之间不易发生浮起的切割芯片接合薄膜。一种切割芯片接合薄膜，其具备：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和，粘接剂层，其与前述切割带中的前述粘合剂层可剥离地密合，所述切割芯片接合薄膜的辐射线固化前的前述粘合剂层表面在温度23℃、频率100Hz的条件下基于纳米压痕法的硬度为0.04～0.3MPa，在温度23℃、剥离速度300mm/分钟的条件下的T型剥离试验中的、辐射线固化前的前述粘合剂层与前述粘接剂层之间的剥离力为0.3N/20mm以上。

技术领域

本发明涉及切割芯片接合薄膜。更详细而言，本发明涉及能够在半导体装置的制造过程中使用的切割芯片接合薄膜。

背景技术

在半导体装置的制造过程中，在得到具有芯片接合用的、尺寸与芯片相当的粘接薄膜的半导体芯片、即带有芯片接合用粘接剂层的半导体芯片的过程中，有时会使用切割芯片接合薄膜。切割芯片接合薄膜具有对应于作为加工对象的半导体晶圆的尺寸，例如具有由基材和粘合剂层构成的切割带、和与该粘合剂层侧可剥离地密合的芯片接合薄膜(粘接剂层)。

作为使用切割芯片接合薄膜得到带有粘接剂层的半导体芯片的方法之一，已知有经历如下工序的方法：扩展切割芯片接合薄膜中的切割带，用于使芯片接合薄膜割断。该方法首先在切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上贴合半导体晶圆。该半导体晶圆例如按照此后能够与芯片接合薄膜一起被割断而单片化为多个半导体芯片的方式进行了加工。

然后，为了割断切割带上的芯片接合薄膜，使用扩展装置，沿着包含半导体晶圆的径向和圆周方向的二维方向拉伸切割芯片接合薄膜的切割带。在该扩展工序中，在相当于芯片接合薄膜中的割断位置的位置处，位于芯片接合薄膜上的半导体晶圆也发生割断，使半导体晶圆在切割芯片接合薄膜或切割带上单片化为多个半导体芯片。

然后，对于切割带上的割断后的多个带有芯片接合薄膜的半导体芯片，为了拓宽间隔距离进行再次的扩展工序。然后，例如在经过清洗工序后，利用拾取机构的针状构件将各半导体芯片和与其密合且尺寸与芯片相当的芯片接合薄膜一起从切割带的下侧顶起，从切割带上拾取。由此得到带有芯片接合薄膜即粘接剂层的半导体芯片。该带有粘接剂层的半导体芯片借助其粘接剂层通过芯片接合而固定于安装基板等被粘物。

关于涉及如以上那样使用的切割芯片接合薄膜的技术，例如记载于下述专利文献1～3中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-2173号公报

专利文献2：日本特开2010-177401号公报

专利文献3：日本特开2016-115804号公报

发明内容

发明要解决的问题

近年来，由于半导体的高容量化的需求，正在推进电路层的多层化、硅层的薄层化。但是，电路层的多层化会导致电路层的厚度(总厚度)增加，因此，存在电路层中所含的树脂的比例增加的倾向，由此，多层化的电路层与薄层化的硅层的线膨胀率之差变显著，半导体芯片变得容易翘曲。因此，使用以往的切割芯片接合薄膜时，特别是在切割后得到的带有芯片接合薄膜的电路层多层化了的半导体芯片存在在扩展工序(后述的冷扩展及常温扩展)及其后(例如直至清洗工序、拾取为止的期间等)的过程中切割带的粘合剂层与芯片接合薄膜的界面容易剥离(浮起)的问题。如果发生浮起，则在扩展工序后(清洗工序、操作时等)半导体芯片容易滑落。

本发明是鉴于上述问题而做出的，其目的在于，提供一种在冷扩展时及常温扩展时、以及其后的过程中、在粘接剂层与粘合剂层之间不易发生浮起的切割芯片接合薄膜。

用于解决问题的方案