[发明专利]一种双有源全桥变流器的双边PWM加移相控制方法

权利要求书

1.一种双有源全桥变流器的双边PWM加移相控制方法，其特征在于，通过脉冲宽度调制PWM在双有源全桥DC-DC变流器的两侧H全桥中进行内移相，同时改变双有源全桥DC-DC变流器中点电压U_ab、U_cd的占空比，保证两个H全桥的内移相比d₁相同，然后，调节双有源全桥DC-DC变流器中点电压U_ab、U_cd的占空压，调节第一H桥和第二H桥开关管的导通状态触发脉冲改变外移相比d₂；

根据d₁、d₂之间的大小关系，得出工作周期第一个H全桥到第二H全桥的平均传输功率P，根据工作周期平均传输功率P与基准功率P₀的比值得出如下公式(13)，对公式(13)进行整理得出回流功率P_回流；

所述双有源全桥DC-DC变流器的两个H全桥共包括8个反并联二极管和8个MOSFET，C_f1和C_f2为双有源全桥DC-DC变流器直流测支撑电容，两H全桥通过高频变压器相连；所述第一个H全桥包括第一开关管S₁、第二开关管S₂、第三开关管S₃、第四开关管S₄，第一开关管S₁与第二开关管S₂形成第一个H全桥的第一桥臂，第三开关管S₃和第四开关管S₄形成第一个H全桥的第二桥臂，第二个H全桥包括第五开关管S₅、第六开关管S₆、第七开关管S₇、第八开关管S₈，第五开关管S₅和第六开关管S₆形成第二个H全桥的第一桥臂，第七开关管S₇和第八开关管S₈形成第二个H全桥的第二桥臂，每个开关管驱动信号为占空比0.5的方波；

同一桥臂上下两开关管开关信号互补，各开关管之间的相位差为：S₁-S₃＝d₁T，S₁-S₅＝d₂T，S₁-S₇＝(d₁+d₂)T，S₂-S₄＝d₁T，S₂-S₆＝d₂T，S₂-S₈＝(d₁+d₂)T，其中，内移相比为d₁，外移相比为d₂，T为开关管的开通时间；

通过脉冲宽度调制PWM控制两个H全桥各开关管的开通时刻来在双有源全桥DC-DC变流器的两个H全桥中进行内移相，同时通过各开关管导通状态来改变两侧中点电压U_ab，U_cd的占空比，保证两个H全桥的内移相比相同；

所述工作周期平均传输功率P为：

其中，V₁、V₂为双有源全桥DC-DC变流器两端的电压，N是连接第一个H全桥和第二个H全桥高频变压器的匝数比，L为电感Lr的电感值，f_s是开关管的开关频率；

基准功率P₀为：

根据工作周期平均传输功率P与基准功率P₀的比值得出：

对公式(13)进行整理得出：

其中，k为输入输出电压比值，